[发明专利]一种集成肖特基二极管的积累型屏蔽栅MOSFET在审
| 申请号： | 201610481043.5 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106024895A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/872;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 积累 屏蔽 mosfet | ||
【权利要求书】：
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