[发明专利]一种低副瓣水平极化平板阵列天线有效

专利信息
申请号: 201610487674.8 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN106025574B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 王崇惜;邓淑英 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十九研究所
主分类号: H01Q21/00 分类号: H01Q21/00;H01Q1/36;H01Q1/50
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 陈星
地址: 710065 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 合成网络 方位方向 辐射单元 两两合成 输出口 平板阵列天线 馈电端口 水平极化 低副瓣 第三层 第一层 波导辐射器 俯仰 方向上将 副瓣电平 两侧位置 同轴探针 指标要求 逐渐增大 扁波导 免调试 便携 分层 馈线 异形 主瓣 锥削 天线 口径 合成 生产
【权利要求书】:
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