[发明专利]耦合器及信号处理方法

权利要求书

1.一种耦合器，其特征在于，包括：输入端口，输出端口、耦合端口、隔离端口、π型衰减电路和相位延时线；其中，所述π型衰减电路位于所述隔离端口处，所述隔离端口经由所述π型衰减电路与所述耦合端口耦合为一个端口，所述相位延时线用于补偿所述耦合端口和所述隔离端口之间的相位差；

其中，所述π型衰减电路的第一端与所述耦合器的隔离端口连接，所述耦合器的隔离端口与所述耦合器的耦合端口通过四端口电桥电路耦合为一个端口；其中，所述四端口电桥电路的第一输入端口与所述耦合器的耦合端口连接，所述四端口电桥电路的第二输入端口与所述π型衰减电路的第二端连接，所述四端口电桥电路的输出端口为所述耦合器的隔离端口与所述耦合器的耦合端口耦合的端口。

2.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述相位延时线设置在所述隔离端口处；其中，所述π型衰减电路的第一端与所述隔离端口连接，所述π型衰减电路的第二端与所述相位延时线的第一端连接，所述相位延时线的第二端与所述耦合端口并联。

3.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述耦合器还包括：阻抗变换线，其中，所述阻抗变换线的第一端与所述相位延时线的第二端与所述耦合端口并联后的端口连接，所述阻抗变换线的第二端为所述隔离端口与所述耦合端口耦合的端口。

4.根据权利要求3所述的耦合器，其特征在于，当所述耦合器的输入端口输入的前向有用信号的功率为Xdbm时，所述相位延时线的第二端处所述前向有用信号的功率为(X-C-2D)*exp(180°)dbm，所述耦合器的耦合端口处所述前向有用信号的功率为(X-C)dbm，所述阻抗变换线的第二端处所述前向有用信号的功率为(X-C)*(1-2D*exp(180°))dbm，其中，C为所述耦合器的耦合度，所述耦合器的方向性或所述π型衰减电路的衰减量，exp()为e指数函数，X、C、D均为实数。

5.根据权利要求3所述的耦合器，其特征在于，当所述耦合器的输出端口输入的反向干扰信号的功率为Ydbm时，所述相位延时线的第二端处所述反向干扰信号的功率为(Y-C-D)*exp(180°)dbm，所述耦合器的耦合端口处所述反向干扰信号的功率为(Y-C-D)dbm，所述阻抗变换线的第二端处所述反向干扰信号的功率为负无穷dmb，其中，C为所述耦合器的耦合度，所述耦合器的方向性或所述π型衰减电路的衰减量，exp()为e指数函数，Y、C、D均为实数。

6.根据权利要求3所述的耦合器，其特征在于，所述耦合端口所在的传输线和所述耦合端口所在的传输线的电阻都为50欧，所述阻抗变换线为35欧阻抗变换线。

7.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述相位延时线设置在所述四端口电桥电路的隔离端口处。

8.根据权利要求1或7所述的耦合器，其特征在于，所述四端口电桥电路的四个端口处的电阻都为50欧。

9.根据权利要求1或7所述的耦合器，其特征在于，所述四端口电桥电路为3db电桥电路。

10.根据权利要求8所述的耦合器，其特征在于，当所述耦合器的输入端口输入的前向有用信号的功率为Xdbm时，所述π型衰减电路的第二端处所述前向有用信号的功率为(X-C-2D)dbm，所述耦合器的耦合端口处所述前向有用信号的功率为(X-C)dbm，所述四端口电桥电路的输出端口处所述前向有用信号的功率为(X-C)*(1-2D*exp(180°))dbm，其中，C为所述耦合器的耦合度，所述耦合器的方向性或所述π型衰减电路的衰减量，exp()为e指数函数，X、C、D均为实数。