[发明专利]采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法有效
| 申请号： | 201610496893.2 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106187195B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘洁;付旻慧;刘凯;史玉升;王君昆;宋军;曹平 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;北京九鼎通信设备有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 梁鹏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 激光 选区 烧结 工艺 制备 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【权利要求书】：
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