[发明专利]一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构

权利要求书

1.一种具有高复合效率的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于所述量子阱结构后端的1-2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。

2.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由In_1-xGa_xN构成，其中，0≤x≤1。

3.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构中的势垒层由In_1-yGa_yN构成，其中，0≤y≤1。

4.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构的能量带隙在1.59eV至3.26eV之间。

5.一种具有高复合效率的外延结构，其特征在于，所述外延结构中从下至上依次包括：衬底层、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、n型GaN层、复合多量子阱层以及p型GaN层，其中，

所述复合多量子阱层从下至上依次包括：超晶格应力调制层、空穴阻挡层、势垒层、发光量子阱层以及电子阻挡层，所述发光量子阱层、电子阻挡层以及空穴阻挡层包括多个按顺序循环生长的势垒层和势阱层；

在所述复合多量子阱层中，靠近p型GaN层的1-2个量子阱的带隙宽度大于其他量子阱的带隙宽度。