[发明专利]一种GaN基电子器件及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基电子器件，其特征在于，所述GaN基电子器件从下到上依次为：衬底层、缓冲层、模板层、沟道层、势垒层、栅漏源金属层、邦定层以及用于封装电子器件的封装体。

2.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石衬底、Si衬底以及SiC衬底中的一种。

3.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述缓冲层为AlN、GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种或者多种组合。

4.如权利要求3所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述缓冲层为多层结构或单层结构。

5.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述模板层为未掺杂GaN、Fe掺杂GaN、C掺杂GaN以及AlGaN中的一种或者多种组合。

6.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述势垒层为AlN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种或者多种组合。

7.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述邦定层为Sn或Au-Sn合金。

8.如权利要求1所述的GaN基电子器件，其特征在于，所述封装体包含金属焊盘和包封体，所述包封体通过所述金属焊盘与所述邦定层焊接。

9.一种GaN基电子器件制备方法，其特征在于，所述制备方法应用于如权利要求1-8任意一项所述的GaN基电子器件，所述制备方法中包括：

A1在衬底层上从下到上依次生长缓冲层、模板层、沟道层以及势垒层，得到GaN基电子器件的外延结构；

A2在所述势垒层上制备栅漏源金属层，得到芯片；

A3在所述栅漏源金属层表面制备邦定层；

A4采用共晶的方式通过所述邦定层将步骤A2中形成的芯片焊接在封装体中的金属焊盘上，再使用所述封装体中的包封体对其进行包封。