[发明专利]一种桥式单火线取电电路有效

专利信息
申请号: 201610499041.9 申请日: 2016-06-29
公开(公告)号: CN106102231B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 张伟;朱俊岗;朱峰;朱俊岭;余建美 申请(专利权)人: 南京物联传感技术有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211100 江苏省南京市江宁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 桥式单 火线 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电源电路,特别针对于通态单火线取电技术,尤其涉及一种桥式单火线取电电路。

背景技术

在智能家居控制系统中,家电控制器(如灯光控制器)的供电方式需要零、火线的情况,新装修的用户通过布线可以解决这个问题,但是对于已经装修好的用户,只有一条火线到达控制器,面对这种用户的时候将无法正常使用。大多数的用户家里的墙面暗盒里只有火线。这就对智能开关的设计提出了要求,其必须在只有火线的电路中取出稳定的能量给控制系统供电。单火线开关通态取电方法不多,且存在取电电压不稳,波动较大,取电电流不足,取电系统烧毁等问题,这主要是由于开关所加的负载不同,流过开关的电流也不同,不对取得的能量进行检测,就会出现取电电压波动的现象。另外,现在大量使用的LED灯,属于容性负载,流过这类负载的电流波形并不是严格的正弦波,其波形在波峰和波谷会产生突变,因此在交流电的波峰波谷取电,则会出现很大的浪涌,这个浪涌会烧毁取电系统。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提出了一种桥式单火线取电电路,使其可以从单根火线上取出稳定的电压,严格设置了从火线上取电的时间,以保证不会出现取电系统被烧毁的风险。

为了解决上述的技术问题,本发明提供一下技术方案:一种桥式单火线取电电路,还包括储能系统、检测系统、驱动系统、及控制系统,所述桥式取电电路由第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)构成,当第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)处于断开状态时,第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第一MOS管(Q1)的体二极管(D3)、第二MOS管(Q2)的体二极管(D4)组成一个整流桥结构,所述储能系统用于存储取电电路取到的能量,同时将能量传送给控制系统,所述检测系统中电压检测部分开始检测取到电压VCC,将其和设定的判断电压比较后,将比较值转换为信号发送给控制系统;所述控制系统收到信号后命令驱动系统导通第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2),电流从第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)上流过,不进入储能系统,所述驱动系统收到控制系统的命令后,给第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)发送导通信号。

较佳地,所述桥式取电电路开始工作,第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)处于断开状态,所述第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一MOS管(Q1)的体二极管(D3)、第二MOS管(Q2)的体二极管(D4)组成的桥式取电电路对交流电进行整流,所述整流后的电送给储能系统进行储能。

较佳地,所述检测系统检测到VCC电压值低于设置的取电电压,电流检测部分检测到交流电过零的信号,控制系统得到电流过零的信号,命令驱动系统对第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)发出断开信号。

较佳地,所述驱动系统收到控制系统发出的断开第一MOS(Q1)、第二MOS关(Q2)信号后信号后,给第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)发送断开信号,所述第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一MOS管(Q1)的体二极管(D3)、第二MOS管(Q2)的体二极管(D4)组成桥式取电电路继续取电。

较佳地,所述检测系统一旦检测VCC电压值高于设置的上限电压值,立即将VCC超过上限电压信号发送给控制系统,控制系统立即命令驱动系统对第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)发出导通信号,使得电流从第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)流过,取电电路不取电,防止储能系统过充。

较佳地,规定电流从LIVE端流向LOAD端时的方向为正,LIVE端相对于LOAD端电压为高时为交流电的正半周,反之为负半周;则电流检系统可以检测到流过第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)的交流电的正负半周的电流过零点,且由于桥式结构的电气特性,电流正负半周从第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)上流过的方向不同,则当电压检测部分检测到VCC低于设置电压时,电流正半周过零时关断第一MOS管(Q1),逼迫电流从第一二极管(D1)流向储能系统,电流负半周过零时关断二MOS管(Q2),逼迫电流从第二二极管(D2)流向储能系统,取电系统在此时取电,系统会更稳当。

所述驱动系统内含有驱动放大电路,用于在取电电压较小时,将取电电压放大至第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)要求的最佳驱动电压值。

本发明的有益效果:

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