[发明专利]纳米异质结构

权利要求书

1.一种纳米异质结构，其包括一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延伸；一半导体层，该半导体层的厚度为1~200纳米；一第二碳纳米管，该第二碳纳米管设置于所述半导体层的表面，使过半导体层设置于第一碳纳米管和第二碳纳米管之间，该第二碳纳米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

2.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一碳纳米管或第二碳纳米管为金属型碳纳米管。

3.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一碳纳米管或第二碳纳米管为单壁碳纳米管。

4.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一碳纳米管或第二碳纳米管的直径为1纳米～10纳米。

5.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管的交叉出与半导体层形成一三层立体结构，该三层立体结构的横截面面积在1nm²~100nm²之间。

6.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体层的厚度为1纳米~10纳米。

7.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体层为无机化合物半导体、元素半导体或有机半导体。

8.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述半导体材料为砷化镓、碳化硅、多晶硅、单晶硅、萘或硫化钼。

9.如权利要求1所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一方向和第二方向之间的夹角为大于60度小于等于90度。

10.如权利要求9所述的纳米异质结构，其特征在于，所述第一方向和第二方向之间的夹角等于90度。