[发明专利]铂错合物及使用其的有机发光二极管在审
申请号: | 201610504131.2 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106928282A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 季昀;施理健 | 申请(专利权)人: | 季昀 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C07D403/04;C07D401/04;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 陶敏,臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铂错合物 使用 有机 发光二极管 | ||
技术领域
本发明是有关于一种铂错合物,以及使用其的有机发光二极管,且特别是有关于一种具有含氮杂环双牙配基结构的铂错合物,以及使用其的有机发光二极管(OLED)。
背景技术
有机发光二极管元件在显示器工业上已经得到许多人的注意,特别是在平面显示器工业上,因为有机发光二极管元件能在低驱动电压下操作,又能产生高发光效率、发光范围涵盖可见光区以及近红外光区。
为了发展全彩化的平面显示器,开发稳定及高发光效率的色光发光材料为现今研究OLED的主要目标。目前已知四配位的铂错合物具有良好的放光性质,元件效率可达到39%,且其光色为橘红色。因此,开发新颖、具高发光效率的不同颜色发光材料是目前极需努力的目标。
发明内容
本发明提供一种铂错合物,其用于OLED的发光层时可有效提升OLED的发光效率。
本发明并提供一种使用此铂错合物的有机发光二极管。
本发明提供一种铂错合物,由下列通式(I)或(II)所表示:
其中L1及L2为含氮杂环双牙配基;
R1为经取代或未取代的C1-C12烷基,或经取代或未经取代的C6-C12芳基;
R2为氢、卤素、经取代或未取代的C1-C12烷基,或经取代或未经取代的C6-C12芳基;
R3为氢、经取代或未取代的C1-C12烷基,或经取代或未经取代的C6-C12芳基;
RF为-CmF2m+1,m为1~3的整数;
X1至X6独立地为碳或氮;
若X6为氮且X3、X4及X5为碳时,R3不为氢。
本发明提供一种有机发光二极管,其包括二电极及配置于所述二电极之间的一发光层,其中所述发光层含有上述的铂错合物。
在本发明的铂错合物中,具有特定结构的含氮杂环双牙配基,可维持强的氮-铂键结以及调整跃迁能阶,而具有增加的发光量子产率以及显著缩短的磷光发光寿命,从而得到高发光效率的蓝、绿光至红光发光材料、甚至可以进一步延伸到近红外光区。此外,本发明的铂错合物可使用于有机发光二极管的发光层中,用以提升有机发光二极管的外部量子效率与幅射率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出本发明实施例1~3所合成的铂错合物的磷光光谱;
图2示出本发明实施例4、6所合成的铂错合物的磷光光谱;
图3示出本发明实施例7~11所合成的铂错合物的磷光光谱;
图4示出本发明实施例12~14所合成的铂错合物的磷光光谱;
图5为依照本发明一实施例的有机发光二极管的剖面示意图;
图6为实施例15与实施例16的有机发光二极管的电流密度-外部量子效率曲线;
图7为实施例15与实施例16的有机发光二极管的电压-幅射率曲线。
附图标记说明:
500:阳极;
502:电洞注入层;
504:电洞传输层;
506:电子阻挡层;
508:发光层;
510:电子传输层;
512:阴极。
具体实施方式
以下将通过实施方式对本发明作进一步说明,但所述实施方式仅为例示说明之用,而非用以限制本发明的范围。
[本发明的铂错合物的结构]
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