[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明涉及一种存储器装置及其操作方法，所述装置包括存储单元阵列、暂存单元以及指令产生器。存储单元阵列包括多个存储单元。暂存单元用以记录多个自定义信息。指令产生器耦接于暂存单元以及存储单元阵列。指令产生器接收自定义命令，并且依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。本发明技术方案在存储器装置的暂存单元中记录多个自定义信息，依据自定义命令以及自定义信息来执行至少两个存储器操作。据此，可提升存储器装置的存取效率并降低功耗。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置及其操作方法，且特别是有关于一种可自定义存储器命令的存储器装置及其操作方法。

背景技术

同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random-access memory，SDRAM)是具有一个同步接口的动态随机存取存储器，通过时脉信号来与电脑的总线达成同步。随着存储器技术的进步，双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSynchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRAM)也被发展出来。DDR SDRAM是具有双倍传输速率的SDRAM，其在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据的传输，因而其传输速率为系统时脉的两倍，具有较高的工作效率。

为了进一步提升工作效率，第二代、第三代以及第四代的DDR SDRAM都已经发展出来。然而，由于JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)对DRAM所订定的标准，DRAM在执行动作时需要从存储器控制器陆续接收多个存储器命令，并且分别对逐个存储器命令执行对应的存储器操作才能完成动作。举例而言，当欲写入一笔数据时，存储器控制器会对DRAM陆续下达对应于存储器操作：激活(Activate)列地址、读取(Read)行地址以及预充电(Precharge)的三个存储器命令，并且由DRAM陆续完成上述的三个存储器操作。在另一个例子中，当欲连续写入多笔数据时，存储器控制器不仅需要多次对DRAM下达RD命令，还必须传输多个存储器地址给DRAM。因此，倘若能够减少存储器控制器与DRAM之间过多的传输，包括存储器命令或地址等，将能够提升系统的效率，并降低系统的功耗。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其操作方法，可减少存储器命令的传输次数，以提升存储器装置的效率并减少功耗。

本发明的存储器装置包括存储单元阵列、暂存单元以及指令产生器。存储单元阵列包括多个存储单元。暂存单元用以记录多个自定义信息。指令产生器耦接于暂存单元以及存储单元阵列。指令产生器接收自定义命令，并且依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。

本发明的存储器装置操作方法适用于包括存储单元阵列以及暂存单元的存储器装置。此存储器装置操作方法包括以下步骤。写入多个自定义信息至暂存单元。接收自定义命令。依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。

基于上述，在本发明的实施例中，在存储器装置的暂存单元中记录多个自定义信息，此种存储器装置操作方法可在存储器装置接收到一个自定义命令时，依据自定义命令以及自定义信息来执行至少两个存储器操作。据此，可提升存储器装置的存取效率并降低功耗。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1示出本发明一实施例的存储器装置的概要方块图；

图2示出本发明一实施例的自定义信息的示意图；

图3示出现有的存储器装置操作方法的示意图；