[发明专利]一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高取向性硒化锑薄膜，其特征在于，所述硒化锑薄膜为采用对金属锑薄膜进行硒化处理得到良好取向的硒化锑薄膜，所述硒化锑薄膜为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。

2.一种权利要求1所述的高取向性硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：

第一步，使用热蒸发法制备金属锑薄膜：所述金属锑的蒸发工艺为蒸发源温度为500～800℃，基片加热温度为常温～200℃，蒸发时间为10～30min，真空度为10^-2～10^-4Pa；

第二步，对金属锑薄膜进行后硒化处理得到硒化锑薄膜，所述后硒化处理为：将金属锑薄膜在硒氛围中进行退火处理，其中：所述硒氛围的硒蒸气分压为1～10000Pa，退火温度为300～450℃，处理时间为12～30min。

3.一种硒化锑薄膜太阳能电池，其特征在于，包括权利要求2所述高取向性硒化锑薄膜的制备方法得到的高取向性硒化锑薄膜。