[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610507479.7 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328710B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【说明书】：
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