[发明专利]提高SOI NMOS器件ESD保护能力的方法以及SOI NMOS器件在审
申请号: | 201610511023.8 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106129043A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 颜丙勇;杜宏亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 soi nmos 器件 esd 保护 能力 方法 以及 | ||
【权利要求书】:
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