[发明专利]变容晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种变容晶体管，其特征在于，包括：

具有第一导电类型的半导体鳍片；

包绕所述半导体鳍片的一部分的彼此分离的多个栅极结构，所述多个栅极结构至少包括：在所述半导体鳍片的边缘上的伪栅极结构、以及与所述伪栅极结构间隔开的第一栅极结构，每个栅极结构包括：在所述半导体鳍片的一部分表面上的栅极绝缘物层、在所述栅极绝缘物层上的栅极、以及用于栅极的间隔物，所述伪栅极结构包括：在所述半导体鳍片的第一边缘上的第一伪栅极结构和在所述半导体鳍片的第二边缘上的第二伪栅极结构，其中所述第一伪栅极结构与所述第二伪栅极结构位于所述第一栅极结构的两侧；

在所述半导体鳍片上且在所述伪栅极结构与所述第一栅极结构之间的抬升的源极或漏极，所述源极包括位于所述第一伪栅极结构与所述第一栅极结构之间的第一源极，所述漏极包括位于所述第二伪栅极结构与所述第一栅极结构之间的第一漏极；以及

到所述源极或漏极的第一接触件以及到所述伪栅极结构所包括的栅极的伪栅极接触件；其中，所述第一接触件包括到所述第一源极的第一源极接触件以及到所述第一漏极的第一漏极接触件；所述伪栅极接触件包括到所述第一伪栅极结构所包括的栅极的第一伪栅极接触件，以及到所述第二伪栅极结构所包括的栅极的第二伪栅极接触件；其中，所述第一源极接触件、所述第一漏极接触件、所述第一伪栅极接触件以及所述第二伪栅极接触件相连。

2.根据权利要求1所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

具有第二导电类型的衬底，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述半导体鳍片形成在所述衬底之上，并且在所述半导体鳍片与所述衬底之间形成反向pn结。

3.根据权利要求1所述变容晶体管，其特征在于，

所述第一源极接触件、所述第一漏极接触件、所述第一伪栅极接触件以及所述第二伪栅极接触件均接地。

4.根据权利要求1所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

在所述半导体鳍片周围的用于所述半导体鳍片的沟槽隔离结构；

所述沟槽隔离结构包括与所述半导体鳍片邻接的沟槽以及填充所述沟槽的第一绝缘物层。

5.根据权利要求4所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

在所述第一绝缘物层和所述半导体鳍片上包围所述多个栅极结构以及所述第一源极接触件和所述第一漏极接触件的一部分的层间电介质层。

6.根据权利要求5所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

在所述层间电介质层上包围所述第一伪栅极接触件、所述第二伪栅极接触件、以及所述第一源极接触件和所述第一漏极接触件的一部分的第一电介质层，

其中所述第一电介质层露出所述第一伪栅极接触件、所述第二伪栅极接触件、所述第一源极接触件和所述第一漏极接触件的上表面。

7.根据权利要求6所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

在所述第一电介质层上与所述第一伪栅极接触件、所述第二伪栅极接触件、所述第一源极接触件和所述第一漏极接触件均接触的金属连接件。

8.根据权利要求1所述变容晶体管，其特征在于，

所述栅极绝缘物层包括：在所述半导体鳍片的一部分表面上的界面层和在所述界面层上的高k电介质层。

9.根据权利要求8所述变容晶体管，其特征在于，

所述栅极包括：在所述高k电介质层上的功函数调节层和在所述功函数调节层上的导电材料层。

10.根据权利要求5所述变容晶体管，其特征在于，还包括：

位于所述层间电介质层与所述半导体鳍片之间的初始绝缘物层。