[发明专利]一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器

权利要求书

1.一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器，其特征在于：它包括阳极、阴极、绝缘体、阳极网、低引导磁场产生装置和微波辐射窗，阴极上设置有阴极发射区，阴极设置在阳极内并通过绝缘体隔开，微波辐射窗设置在阳极上，阴极和微波辐射窗之间设置有阳极网，阳极网与微波辐射窗之间设置有一微波传输腔，阳极、阴极、绝缘体与微波辐射窗构成真空腔，真空腔的真空度不超过10毫帕；所述的低引导磁场产生装置环绕在阳极外以产生轴向引导磁场；所述的轴向引导磁场的磁场强度不超过0.5T。

2.根据权利要求1所述的一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器，其特征在于：所述的阴极设置在阳极的一端内，阳极的另一端设置微波辐射窗。

3.根据权利要求1所述的一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器，其特征在于：所述的阳极网电子束透过率大于90％。

4.根据权利要求3所述的一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器，其特征在于：所述的阴极发射区与阳极网之间的轴向距离为25mm～35mm。

5.根据权利要求4所述的一种低引导磁场轴向虚阴极振荡器，其特征在于：所述的阳极和阴极之间的电压为600kV，电流为15kA，引导磁场强度为0.3T，阳极网与微波辐射窗之间的微波传输腔内并位于阳极网之后距离26mm～36mm的位置稳定形成虚阴极。