[发明专利]导电氧化层的沉积装置及方法

说明书

本发明提供如下的导电氧化层的沉积装置及方法，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管。所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

技术领域

本发明涉及导电氧化层的沉积装置及方法，更详细地说涉及根据溅射(Sputtering)的导电氧化层的沉积装置及方法。

背景技术

导电氧化层正在被广泛利用于显示装置领域。诸如ITO的导电氧化层带有导电性并且透明，因此也能够以各种用途利用于显示画面的显示装置。例如，导电氧化层被利用成薄膜晶体管的活跃层材料，因此也可利用于实现透明显示装置，并且可被利用成有机发光显示装置的阳极(anode)材料。

如上所述的导电氧化层主要由溅射(Sputtering)工艺沉积于基板上。溅射工艺是利用如下的原理的沉积方法：使目标(Target)位于真空状态的腔室内之后通过等离子放电将离子碰撞于所述目标，进而构成所述目标的物质被弹出而沉积于基板上。

由如上所述的溅射工艺沉积导电氧化层的方法公开于韩国公开专利第2014-0099340号。

但是，现有的根据溅射工艺的导电氧化层的沉积方法具有如下的局限性。

由现有的溅射工艺形成的导电氧化层电阻大，因此作为要求优秀的导电性特性的显示装置的电极上是有局限的。

另外，为了减少获得的导电氧化层的电阻，考虑在溅射工艺时加热基板的方案，但是若加热基板，能够获取电阻低的导电氧化层，但是在这一情况下，伴随能够适用的应用范围被限定的制约。例如，被广泛利用为显示装置的有机发光显示装置的情况下，应该在形成有机发光层的状态下形成导电氧化层，但是所述有机发光层不耐热，因此在加热基板的状态下无法形成导电氧化层，因此，为了降低导电氧化层的电阻，在有机发光显示装置将无法适用加热基板的方法。

发明内容

(要解决的问题)

本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，本发明的目的在于提供在不加热基板的同时也能够沉积电阻低的导电氧化层的沉积装置及沉积方法。

(解决问题的手段)

为了达成上述目的，本发明提供如下的导电物质氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管，所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

本发明还提供如下的导电氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有第一目标及第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有第二目标及与第二导波管；隔壁，具有用于在所述第一工艺腔室与第二工艺腔室之间移动基板的间隙；及吸气结构，用于防止所述第二工艺腔室内的第二工艺气体进入所述第一工艺腔室内。

本发明还提供如下的导电氧化层的沉积方法，包括：基板的表面处理及种子层形成工艺，在常温下将第一工艺气体供应于第一腔室内，并且将微波照射于所述第一工艺气体来等离子放电所述第一工艺气体，并将第一电压施加于第一目标；及导电氧化物沉积工艺，在常温下将第二工艺气体供应于第二腔室内，并将第二电压施加于第二目标来等离子放电所述第二工艺气体，并将微波照射于所述等离子，进而在所述种子层上沉积导电氧化物。

(发明的效果)