[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610515520.5 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328607B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 | 申请（专利权）人： | 安靠科技日本公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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