[发明专利]有机发光二极管及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括层叠设置的第一功能部和第二功能部，所述第一功能部包括依次层叠设置的第一载流子传输层和第一发光层，所述第二功能部包括第二载流子传输层，所述第一功能部和所述第二功能部通过不同的方法制得，其特征在于，所述第一功能部还包括连接层，所述连接层位于所述第一发光层和所述第二功能部之间，所述第一发光层包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的掺杂物，所述基体材料包括N型基体材料和P型基体材料，当所述第一载流子传输层中的载流子为电子时，所述连接层的材料为所述P型基体材料，当所述第一载流子传输层中的载流子为空穴时，所述连接层的材料为所述N型基体材料，其中，所述第一载流子传输层和所述第二载流子传输层中的一者的载流子为电子，另一者的载流子为空穴。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二功能部还包括第二发光层和第三发光层，所述第二发光层和所述第三发光层位于所述第二载流子传输层和所述连接层之间。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二发光层与所述第三发光层并排设置。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述连接层的厚度在1nm至5nm之间。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述连接层的厚度在2nm至3nm之间。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一发光层为蓝色发光层。

7.根据1至6中任意一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述连接层的三线态能级大于2.1eV。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一功能部中的各层由真空蒸镀法形成，所述第二功能部中的各层由溶液法制成。

9.根据权利要求1至6中任意一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管还包括第一电极和第二电极，所述第一电极、所述第一功能部、所述第二功能部、所述第二电极依次层叠设置。

10.一种有机发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供衬底；

利用第二方法在所述衬底上形成第二功能部，所述第二功能部包括第二载流子传输层；

利用第一方法在所述第二功能部上形成第一功能部，所述第一功能部包括依次层叠形成在所述第二功能部上的连接层、第一发光层和第一载流子传输层，其中，所述第一发光层包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的掺杂物，所述基体材料包括N型基体材料和P型基体材料，当所述第一载流子传输层中的载流子为电子时，所述连接层的材料为所述P型基体材料，当所述第一载流子传输层中的载流子为空穴时，所述连接层的材料为所述N型基体材料，并且所述第一载流子传输层和所述第二载流子传输层中的一者的载流子为电子，另一者的载流子为空穴。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一发光层为蓝色发光层。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，利用第二方法在所述衬底上形成第二功能部的步骤包括：

利用第二方法在所述衬底上形成所述第二载流子传输层；

利用第二方法在所述第二载流子传输层上形成第二发光层和第三发光层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二发光层和所述第三发光层并排设置。

14.根据权利要求10至13中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述连接层的三线态能级大于2.1eV。

15.根据权利要求10至13中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一方法包括真空蒸镀法，所述第二方法包括溶液法。

16.根据权利要求10至13中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述连接层的厚度的在1nm至5nm之间。

17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述连接层的厚度在2nm至3nm之间。