[发明专利]存储设备、存储系统和操作存储设备的方法

权利要求书

1.一种包括存储单元阵列的三维(3D)存储设备，所述存储单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元串，每个存储单元串包括沿着垂直于衬底的方向延伸的柱和沿着所述柱堆叠的多个晶体管，所述存储设备包括：

第一存储块，其与存储单元阵列的中心具有第一距离；

第二存储块，其与存储单元阵列的中心具有第二距离；和

控制逻辑，被配置为存储与第一存储块相关联的第一操作参数和与第二存储块相关联的第二操作参数，并且分别基于第一操作参数对第一存储块执行第一操作以及基于第二操作参数对第二存储块执行第二操作，

其中所述第一操作和所述第二操作分别是编程操作，并且所述第一操作参数和所述第二操作参数基于所述第一距离和所述第二距离而被不同地设置,

其中，第一存储块包括第一存储单元，并且基于第一操作参数对第一存储单元进行编程，

其中，第二存储块包括第二存储单元，并且基于第二操作参数对第二存储单元进行编程，并且

其中，第一存储单元的沟道孔大小不同于第二存储单元的沟道孔大小。

2.根据权利要求1所述的存储设备，

其中所述多个存储单元串中的每一个形成在通过蚀刻工艺形成的沟道孔中。

3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述第一操作参数和所述第二操作参数分别是第一编程启动电压和第二编程启动电压，并且当第一距离比第二距离短时所述第一编程启动电压比所述第二编程启动电压高。

4.根据权利要求1所述的存储设备，

其中所述第一操作参数包括用于执行所述第一操作的第一偏置集，并且所述第二操作参数包括用于执行所述第二操作的第二偏置集。

5.根据权利要求4所述的存储设备，其中所述第一偏置集包括第一编程持续时间、第一编程禁止电压、第一编程验证电压、每个循环的编程持续时间的第一时间增量、每个循环的第一编程电压增量、第一数量的编程验证跳过循环和第一数量的最大循环中的至少一个，并且第二偏置集包括第二编程持续时间、第二编程禁止电压、第二编程验证电压、每个循环的编程持续时间的第二时间增量、每个循环的第二编程电压增量、第二数量的编程验证跳过循环和第二数量的最大循环中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的存储设备，其中当所述第一距离与所述第二距离不同时，所述第一编程持续时间不同于所述第二编程持续时间。

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制逻辑被配置为存储与所述第一存储块相关联的第三操作参数和与所述第二存储块相关联的第四操作参数，并且分别基于第三操作参数对所述第一存储块执行第三操作以及基于第四操作参数对第二存储块执行第四操作，

其中所述第三操作和所述第四操作分别是擦除操作、读取操作和验证操作中的一个，并且所述第三操作参数和所述第四操作参数是基于所述第一距离和所述第二距离而不同地设置的。

8.根据权利要求5所述的存储设备，其中，当所述第一距离与所述第二距离不同时，所述第一编程持续时间的第一时间增量不同于所述第二编程持续时间的第二时间增量。

9.根据权利要求4所述的存储设备，其中，基于相应存储块的操作周期的数量来修改所述第一偏置集和所述第二偏置集的值的至少一部分。

10.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述存储单元阵列的边缘部分中的第一沟道孔的第一直径小于所述存储单元阵列的中心部分中的第二沟道孔的第二直径。