[发明专利]具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源

权利要求书

1.具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源，包括：一阶带隙核电路和互补温度系数电流产生电路；所述一阶带隙核电路用于实现BJT晶体管射极—基极电压的一阶温度补偿；其特征在于：

所述互补温度系数电流产生电路包括：一个运算放大器、一个电阻和两条CMOS电流镜；所述运算放大器和CMOS电流镜构成负反馈环路；

所述互补温度系数电流产生电路从一阶带隙核电路中用于产生一阶正温度补偿项的低电流密度BJT晶体管射极抽取互补温度系数电流，从而在一阶带隙核电路中引入正的高阶温度项，所述正的高阶温度项用于补偿BJT晶体管射极-基极电压中所含有的负高阶温度项，获得与温度无关的输出基准电压。

2.如权利要求1所述具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源，其特征在于：所述一阶带隙核电路为基本一阶温度补偿带隙核电路，或者是低压电流模结构的一阶温度补偿带隙核电路，所述基本一阶温度补偿带隙核电路或低压电流模结构的一阶温度补偿带隙核电路，均是基于采用负反馈环路获得具有不同电流密度的两个BJT晶体管射极-基极之间的电压差值的电路，所述电压差值具有一阶线性正温度系数，电压差值用于对BJT晶体管的射极-基极电压的一阶负温度项进行补偿。

3.如权利要求1所述具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源，其特征在于：所述负反馈环路完整地或者部分地检测一阶带隙核电路中BJT晶体管的射极-基极电压，并将该BJT晶体管的射极-基极电压完整地或者部分地施加在电阻两端，形成通过所述电阻的互补温度系数电流。