[发明专利]可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，包含：

一发电单元，包括一P型半导体层，及一与该P型半导体层连接的N型半导体层，该N型半导体层是由多个N型材料及一包覆该多个N型材料的导电材料所组成；及

一导电单元，包括一与该P型半导体层连接的导电底层，及一与该N型半导体层连接的导电顶层。

2.依据权利要求1所述可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，该多个N型材料为纳米粒径的颗粒。

3.依据权利要求1所述可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，该包覆该多个N型材料的导电材料为液体态样、果冻及胶状态样其中之一。

4.依据权利要求1所述可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，该发电单元更包括一介于该P型半导体层及该N型半导体层之间的I型半导体层。

5.依据权利要求1所述可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，该N型半导体层为多孔性结构，且该导电材料容置于N型半导体层的多孔性结构中。

6.依据权利要求1所述可提升太阳能发电效益的结构，其特征在于，该N型半导体层的表面形成多个容置孔，及多个与该多个容置孔交互设置纳米粒径的凸柱，且该导电材料容置于该多个容置孔中。

7.一种可提升太阳能发电效益的结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

一P层制作步骤，制造一P型半导体层；

一N层制作步骤，利用一导电材料将多个纳米粒径的颗粒的N型材料包覆起来，并于该P型半导体层上方形成一N型半导体层；及

一电极制作步骤，于该N型半导体层上方设置一导电顶层，并于该P型半导体层下方设置一导电底层。

8.依据权利要求7所述可提升太阳能发电效益的结构的制造方法，其特征在于，该N层制作步骤包括了下列子步骤：

一N层材料混和步骤，将该多个N型材料与该导电材料混和在一起；及

一N层涂布步骤，将该混和多个N型材料的导电材料，涂布于该P型半导体层上，以形成该N型半导体层。

9.依据权利要求7所述可提升太阳能发电效益的结构的制造方法，其特征在于，该N层制作步骤包括了下列子步骤：

一N层成型步骤，将该多个N型材料于该P型半导体层上方成型；

一N层烧结步骤，将该多个N型材料烧结成一多孔性结构；及

一N层浇灌步骤，将该导电材料浇灌至该多孔性结构中，以形成该N型半导体层。

10.依据权利要求7所述可提升太阳能发电效益的结构的制造方法，其特征在于，该N层制作步骤包括了下列子步骤：

一铺设步骤，于该P型半导体层上方铺设该多个N型材料；

一侵蚀步骤，于该多个N型材料的上表面形成多个容置孔；及

一填充步骤，于该多个容置孔中填充该导电材料。