[发明专利]一种光吸收复合结构及其应用

权利要求书

1.一种光吸收复合结构，其特征在于，该复合结构包括硅基底(1)及设置在硅基底(1)上的多个光栅纳米柱结构(2)，并且这些光栅纳米柱结构(2)呈行列分布，其中，

每个所述光栅纳米柱结构(2)均包括二维光栅(21)和纳米柱(22)，其中，所述二维光栅(21)呈长方体形状并且所述纳米柱(22)均呈圆柱形，所述纳米柱(22)的中心线经过所述二维光栅(21)的中心点，所述二维光栅(21)的底面与所述硅基底(1)的顶面接触并且这两个面固定连接在一起，所述二维光栅(21)的顶面与所述纳米柱(22)的底面接触并且这两个面固定连接在一起；所述复合结构的纳米柱(22)部分的材料为锗；

每行光栅纳米柱结构(2)中，相邻两个纳米柱(22)的中心线的间距相等并且该间距均为Λ；每列光栅纳米柱结构(2)中，相邻两个纳米柱(22)的中心线的间距相等并且该间距也均为Λ；

每行光栅纳米柱结构(2)中，相邻两个二维光栅(21)的中心点的间距相等并且该间距均为Λ；每列光栅纳米柱结构(2)中，相邻两个二维光栅(21)的中心点的间距相等并且该间距也均为Λ。

2.根据权利要求1所述的一种光吸收复合结构，其特征在于，每个所述二维光栅(21)的长度W均为85～95nm，宽度B均为85～95nm，高度h均为65～75nm，并且W＝B。

3.根据权利要求1所述的一种光吸收复合结构，其特征在于，每个所述纳米柱(22)的直径d均为55～65nm，高度L均为95～105nm。

4.根据权利要求1所述的一种光吸收复合结构，其特征在于，Λ＝95～105nm。

5.如权利要求1所述的一种光吸收复合结构，其特征在于，所述硅基底(1)为本征单晶硅。

6.如权利要求1所述的一种光吸收复合结构，其特征在于，所述复合结构的二维光栅(21)的材料为本征单晶硅。

7.一种硅太阳能电池，其特征在于，包括权利要求1－6中任一所述的光吸收复合结构。

8.根据权利要求7所述的一种硅太阳能电池，其特征在于，所述硅太阳能电池为单晶硅太阳能电池。