[发明专利]一种二维纳米电极材料的制备方法有效
申请号: | 201610521339.5 | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN106145192B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 史御书;张国庆;郑娜;张勇 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人: | 李茜 |
地址: | 250022 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 纳米 电极 材料 制备 方法 | ||
1.一种二维纳米电极材料的制备方法,所述的二维纳米电极材料为铜掺杂二氧化钛纳米方块原位复合二硫化钼的二维纳米复合材料Cu-TiO2/MoS2,其特征在于,所述的Cu-TiO2/MoS2的制备步骤为:
(1)取0.6 g二硫化钼粉末和0.2 ~ 2.0 mmol铜盐共同加入到3~10 mL正丁基锂溶液中,在氮气保护和30 ~ 60 ℃下,搅拌12 ~ 48小时,得到反应后的溶液;
(2)利用非极性溶剂洗涤步骤(1)中反应后的溶液,然后在30 ~ 60 ℃下进行水浴超声处理,处理完后,再利用非极性溶剂洗涤处理后的溶液,真空干燥,得到铜插层的二硫化钼纳米材料;
(3)取10 ~ 500 mg步骤(2)制得的铜插层的二硫化钼纳米材料加入到5 mL钛酸四丁酯中,搅拌1小时后,边搅拌边缓慢加入0.5 ~ 0.8 mL氢氟酸,然后160~180 ℃下在反应釜中反应18 ~ 20小时;
(4)将步骤(3)所得的反应产物,用超纯水和无水乙醇离心洗涤三次后,50 ℃下真空干燥,即制得Cu-TiO2/MoS2;
所述的正丁基锂溶液为正丁基锂的己烷溶液,浓度为1.6 mol/L;
所述的铜盐选自下列之一:硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、有机铜化合物;
所述的非极性溶剂选自下列之一:己烷、环己烷、四氯化碳、苯、甲苯;
所述的水浴超声处理,处理时间为1小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的