[发明专利]滚花轮和滚花方法

说明书

技术领域

本发明涉及靶材制造领域，特别涉及一种滚花轮和滚花方法。

背景技术

在半导体溅射工艺中，为了提高溅射沉积的均匀性，通常在溅射设备中安置环件结构，以约束溅射粒子的运动轨迹，也就是说，所述环件结构在溅射过程中起到聚焦高能量粒子的作用。

具体的，参考图1，示出了一种溅射设备的结构示意图。

溅射靶材10设置于待沉积表面11的上方，环件结构12设置于溅射靶材10与待沉积表面11之间。高能粒子13轰击溅射靶材10产生的颗粒物部分落在待沉积表面11上，还有部分被吸附在环件结构12的表面。

现有技术在环件结构12的表面设置有凹凸的花纹，提高环件结构12表面的粗糙程度，以增加环件结构12对颗粒物的吸附能力。而环件结构12断口表面的花纹是否标准，对所述环件结构12在溅射过程中能否较好地实现聚焦高能粒子具有很大的影响。现有技术中往往采用滚花工艺在所述环件结构12表面压滚花纹。

但是现有技术中所形成的花纹均匀度较低，所形成的环件结构在使用过程中容易出现尖端放电(Arcing)或剥落(Peeling)的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种滚花轮和滚花方法，以提高花纹的均匀度。

为解决上述问题，本发明提供一种滚花轮，包括：

体部，所述体部上设有滚花面；位于所述滚花面内的多个凹槽，所述多个凹槽平行设置，所述凹槽包括相对设置的侧壁以及连接相对侧壁的底面。

可选的，所述侧壁与所述底面之间的夹角在70°到110°范围内。

可选的，在垂直延伸方向的平面内，所述凹槽的形状为倒梯形。

可选的，在垂直延伸方向的截面内，所述凹槽底面尺寸与所述凹槽开口尺寸的比值在0.2到0.6范围内。

可选的，相邻凹槽的侧壁相连。

可选的，所述体部具有圆柱体结构，所述体部具有贯穿圆柱体底面的通孔，圆柱体的侧面为所述滚花面，所述凹槽沿圆柱体的轴向延伸。

可选的，所述凹槽延伸方向与所述体部侧面的母线斜交。

可选的，所述凹槽延伸方向与所述体部侧面的母线平行。

可选的，所述通孔与所述体部同轴设置。

可选的，所述体部还具有与所述滚滚花面垂直设置的两个端面，所述两个端面相背设置；以及连接所述端面与所述滚花面的连接面；凹槽还延伸至所述连接面。

可选的，所述连接面与所述端面之间的夹角在93°到100°范围内；所述连接面与所述周面之间的夹角在170°到177°范围内。

相应的，本发明还提供一种滚花方法，包括：

提供本发明的滚花轮；提供待处理件，所述待处理件具有待处理表面；装配所述滚花轮和所述待处理件，使所述滚花轮体部的滚花面与所述待处理件的待处理表面相接触；使所述滚花面向所述待处理面施加过盈压力，进行滚花。

可选的，进行滚花的步骤包括：向所述滚花轮施加过盈压力的过盈量在20％以内。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明通过在所述体部滚花面内形成多个凹槽，所述凹槽包括相对设置的侧壁以及连接想对侧壁的底面。本发明的滚花轮通过所述凹槽的侧壁以及底面施加压力实现滚花，因此所形成的花纹也是有相对应的三个平面构成。所以所述滚花轮能够有效的减少尖角的形成，有利于降低滚花工艺难度，有利于提高所形成花纹的均匀程度，提高滚花合格率和稳定性。

附图说明

图1是一种溅射设备的结构示意图；

图2是一种滚花装置的剖面结构示意图；

图3是一种环件结构表面的放大图；

图4是另一种环件结构表面的放大图；

图5是本发明滚花轮一实施例的立体示意图；

图6为图5中沿AA线的剖视结构示意图；

图7是图5中圈150中结构沿BB线的剖视结构示意图；

图8是图5所示滚花轮所形成花纹垂直延伸方向截面内的剖面放大图；

图9是本发明滚花方法一实施例的设备示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术的滚花轮在环件结构上形成的花纹存在均匀度低的问题。现结合现有技术中滚花装置的结构以及滚花工艺过程分析其花纹均匀度低问题的原因：

参考图2，示出了一种滚花装置的剖面结构示意图。

所述滚花装置包括：刀杆10以及套装在所述刀杆10上滚花轮11，所述滚花轮11外周面12上具有花纹凹槽13。所述花纹凹槽13为V型，由相对设置的第一侧壁13a和第二侧壁13b围成。