[发明专利]一种制备FePt赝自旋阀材料的方法有效

专利信息
申请号: 201610525029.0 申请日: 2016-07-05
公开(公告)号: CN106128753B 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 冯春;唐晓磊;尹建娟;蒋旭敏;于广华 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01F41/18 分类号: H01F41/18;H01F41/30;H01F10/32
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 fept 自旋 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种制备FePt赝自旋阀材料的方法,其特征在于:在经过预拉伸、表面酸化处理、表面抛光处理后的Cu-Zn-Al基片上沉积FePt/Ru/ FePt/Ta多层膜,沉积完毕后,对其进行热处理,诱导FePt原子有序及其硬磁性能;最后,进行光刻处理,以获得纳米柱状阵列结构,引出电极;

该方法的具体过程为:

(1)、对Cu-Zn-Al基片进行预拉伸处理、表面酸化处理以及表面抛光处理,所述的Cu-Zn-Al基片厚度为0.5~0.8毫米,预拉伸量为15%~20%,酸化处理的PH值为6-7,酸化时间为3-5分钟,抛光后的表面粗糙度为0.5~2纳米;

(2)、利用磁控溅射方法,在步骤(1)所述Cu-Zn-Al基片上依次沉积FePt原子、Ru原子、FePt原子以及Ta原子,形成FePt/ Ru/ FePt/Ta多层膜结构的复合体系,沉积过程中溅射室的本底真空度1×10-5~5×10-5Pa,溅射时氩气压为0.3~0.8Pa,沉积得到的FePt原子层的厚度为50~100Å,Ru原子层的厚度为10~25Å,Ta原子层的厚度为30~50Å;

(3)、在真空环境下,对步骤(2)中得到的复合体系进行热处理,所述真空环境的真空度为2×10-5~5×10-5Pa,热处理的温度为350~400 ℃,保温时间为20~40分钟;最后,冷却到室温;

(4)、对热处理后的复合体系进行光刻处理,形成纳米级别柱状阵列,柱的直径为500~3000Å,柱之间的间距为300~700 Å 。

2.根据权利要求1所述制备FePt赝自旋阀材料的方法,其特征在于,步骤(1)所述的Cu-Zn-Al基片厚度为0.6毫米,预拉伸量为18%,酸化处理的PH值为6.5,酸化时间为4分钟,抛光后的表面粗糙度1纳米。

3.根据权利要求1所述制备FePt赝自旋阀材料的方法,其特征在于,步骤(2)所述的利用磁控溅射方法,是在Cu-Zn-Al基片上依次沉积FePt原子、Ru原子、FePt原子以及Ta原子,形成FePt/Ru/FePt/Ta多层膜结构复合体系,沉积过程中溅射室的本底真空度3×10-5Pa,溅射时氩气压为0.5Pa,沉积得到的FePt原子层的厚度为70Å,Ru原子层的厚度为18Å,Ta原子层的厚度为40Å 。

4.根据权利要求1所述制备FePt赝自旋阀材料的方法,其特征在于,步骤(3)所述的热处理的真空环境的真空度为3×10-5Pa,热处理的温度为380 ℃,保温时间为30分钟;最后,冷却到室温后即可。

5.根据权利要求1所述制备FePt赝自旋阀材料的方法,其特征在于,步骤(4)所述的光刻处理,形成纳米级别柱状阵列,柱的直径为1000Å,柱之间的间距为500 Å 。

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