[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含多个绝缘区；

一鳍式结构，延伸设置于该半导体基板上，并位于两个该绝缘区间；

一栅极介电层，设置以横跨该鳍式结构的两侧；

一栅极电极结构，设置于该栅极介电层上；

一漏极结构，设置于该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第一侧，并与该栅极电极结构间具有一第一电阻值；以及

一源极结构，设置于该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第二侧，并与该栅极电极结构间具有一第二电阻值，其中该第一电阻值大于该第二电阻值。

2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中该漏极结构与该栅极电极结构间具有一第一距离，该源极结构与该栅极电极结构间具有一第二距离，其中该第一距离大于该第二距离。

3.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，还包含多个该鳍式结构、多个该漏极结构以及多个该源极结构，其中多个该漏极结构分别对应于多个该鳍式结构，且多个该漏极结构间彼此电性连接，该多个该源极结构分别对应于多个该鳍式结构，且多个该源极结构间彼此电性连接。

4.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，该鳍式结构于该栅极电极结构以及该漏极结构间还包含一凹槽。

5.如权利要求4所述的鳍式场效晶体管，其中该凹槽的深度小于或等于该鳍式结构相对该半导体基板的高度。

6.一种鳍式场效晶体管制造方法，其特征在于，包含：

提供一晶体管前驱物，该晶体管前驱物包含：

一半导体基板，包含多个绝缘区；

一鳍式结构，延伸设置于该半导体基板上，并位于两个该绝缘区间；

一栅极介电层，设置以横跨该鳍式结构的两侧；以及

一栅极电极结构，设置于该栅极介电层上；

对该鳍式结构的一第一位置以及一第二位置进行蚀刻，其中该第一位置为该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第一侧，该第二位置为该鳍式结构对应于该栅极电极结构的一第二侧；以及

于该第一位置形成一漏极结构，以及于该第二位置形成一源极结构，其中该漏极结构与该栅极电极结构间具有一第一电阻值，该源极结构与该栅极电极结构间具有一第二电阻值，该第一电阻值大于该第二电阻值。

7.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管制造方法，还包含：

使该第一位置与该栅极电极结构间具有一第一距离，以及使该第二位置与该栅极电极结构间具有一第二距离，其中该第一距离大于该第二距离。

8.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管制造方法，其中该晶体管前驱物还包含多个该鳍式结构，该鳍式场效晶体管制造方法还包含：

于多个该鳍式结构的该第一位置对该鳍式结构进行蚀刻，以及于多个该鳍式结构的该第二位置对该鳍式结构进行蚀刻；

于多个该鳍式结构的该第一位置形成多个该漏极结构，以及于多个该鳍式结构的该第二位置形成多个该源极结构；以及

使多个该漏极结构间彼此电性连接，以及使多个该源极结构间彼此电性连接。

9.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管制造方法，还包含：

于该鳍式结构的该栅极电极结构以及该第一位置间蚀刻，以形成一凹槽。

10.如权利要求9所述的鳍式场效晶体管制造方法，其中该凹槽的深度小于或等于该鳍式结构相对该半导体基板的高度。