[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有第一空腔；

第一牺牲层，位于所述基底上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；

振动隔膜层，所述振动隔膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑，所述振动隔膜层包括位于所述第二空腔上方的振动隔膜，所述振动隔膜朝向所述第二空腔的表面具有向所述第二空腔突出的突点；

第二牺牲层，位于所述振动隔膜层上，所述第二牺牲层中具有第三空腔，所述振动隔膜的至少一部分位于所述第三空腔内；

背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由所述第二牺牲层支撑，所述背极板层包括位于所述第三空腔上方的背极板；

其中，所述MEMS器件还包括：

防粘附层，位于所述基底和所述振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层的材料为氧化硅。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底为半导体衬底，所述第一牺牲层位于所述半导体衬底上。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述突点的形状为V形、倒梯形或圆弧形，所述突点自所述振动隔膜朝向所述第二空腔的表面突出的高度为0.5μm至0.8μm。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，还包括：第三牺牲层，位于所述背极板层上；

金属层，位于所述第三牺牲层上，所述金属层包括引线。

6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述第三牺牲层中具有通孔，所述金属层经由所述通孔与所述振动隔膜层、所述背极板层连接。

7.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述振动隔 膜层和/或所述背极板层的材料为多晶硅。

8.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述防粘附层还位于所述背极板层上和/或所述MEMS器件裸露的表面上。

9.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述防粘附层的材料为三氧化铝。

10.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成第一牺牲层；

对所述第一牺牲层的上表面进行刻蚀以形成凹坑；

在所述第一牺牲层的上表面形成包括释放孔的振动隔膜层，所述振动隔膜层填充所述凹坑；

形成覆盖所述振动隔膜层的第二牺牲层；

在所述第二牺牲层的上表面形成包括释放孔的背极板层；

在基底的背面形成深槽，并通过所述深槽对所述基底进行腐蚀以在所述基底中形成第一空腔；

通过所述振动隔膜层的释放孔以及所述背极板层的释放孔对所述第一牺牲层和第二牺牲层进行腐蚀以在第一牺牲层中形成第二空腔、在第二牺牲层中形成第三空腔，填充在所述凹坑中的振动隔膜层向所述第二空腔突出；

在所述基底和所述振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上形成防粘附层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层的材料为氧化硅。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述基底为半导体衬底，所述第一牺牲层位于所述半导体衬底上。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述凹坑的形状为V形、倒梯形或圆弧形，深度为0.5μm至0.8μm。

14.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述背极板层上形成第三牺牲层；

在所述第三牺牲层上形成金属层，并对所述金属层图形化形成引线。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第三牺牲层上形成通孔，所述金属层经由所述通孔与所述振动隔膜层、所述背极板层连接。

16.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述振动隔膜层和/或所述背极板层的材料为多晶硅。