[发明专利]多阈值电压鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种多阈值电压鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；

在所述半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层内具有暴露出鳍部的第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，第一开口、第二开口、第三开口用于形成第一类型的鳍式场效应晶体管，第四开口、第五开口、第六开口用于形成第二类型的鳍式场效应晶体管，第二类型与第一类型相反，第一开口底部的鳍部中掺杂有第一浓度的第一离子，第二开口底部的鳍部中掺杂有第二浓度的第一离子，第二浓度大于第一浓度，第四开口底部的鳍部中掺杂有第三浓度的第二离子，第五开口底部的鳍部中掺杂有第四浓度的第二离子，第四浓度大于第三浓度；

在第一开口的侧壁和底部形成第二类型的第一功函数层；

在第二开口的侧壁和底部形成第二类型的第二功函数层，第二功函数层的有效功函数值等于第一功函数层的有效功函数值；

在第三开口的侧壁和底部形成第二类型的第三功函数层，第三功函数层的有效功函数值大于第一功函数层的有效功函数值；

在第四开口的侧壁和底部形成第二类型的第四功函数层；

在第五开口的侧壁和底部形成第二类型的第五功函数层，第五功函数层的有效功函数值等于第四功函数层的有效功函数值；

在第六开口的侧壁和底部形成第二类型的第六功函数层，第六功函数层的有效功函数值小于第四功函数层的有效功函数值；

形成第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层、第四功函数层、第五功函数层和第六功函数层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口、第六开口的侧壁和底部形成第一类型的第七功函数层。

2.根据权利要求1所述的多阈值电压鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，当第一开口、第二开口和第三开口用于形成P型鳍式场效应晶体管时，第四开口、第五开口和第六开口用于形成N型鳍式场效应晶体管，第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层、第四功函数层、第五功函数层和第六功函数层的类型为N型，第七功函数层的类型为P型。

3.根据权利要求1所述的多阈值电压鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，当第一开口、第二开口和第三开口用于形成N型鳍式场效应晶体管时，第四开口、第五开口和第六开口用于形成P型鳍式场效应晶体管，第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层、第四功函数层、第五功函数层和第六功函数层的类型为P型，第七功函数层的类型为N型。

4.根据权利要求3所述的多阈值电压鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层、第四功函数层、第五功函数层和第六功函数层的步骤包括：

在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第一P型功函数层；

去除第六开口中的第一P型功函数层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第二P型功函数层；

去除第三开口中的第一P型功函数层和第二P型功函数层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第三P型功函数层；

去除第一开口和第二开口中的第一P型功函数层、第二P型功函数层和第三P型功函数层；

在形成第一P型功函数层之前，或者在去除第一开口和第二开口中的第一P型功函数层、第二P型功函数层和第三P型功函数层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第四P型功函数层；

其中，当所述第四P型功函数层在去除第一开口和第二开口中的第一P型功函数层、第二P型功函数层和第三P型功函数层后形成时，第一开口中的第四P型功函数层构成第一功函数层；第二开口中的第四P型功函数层构成第二功函数层；第三开口中的第三P型功函数层和第四P型功函数层构成第三功函数层；第四开口中的第一P型功函数层、第二P型功函数层、第三P型功函数层和第四P型功函数层构成第四功函数层；第五开口中的第一P型功函数层、第二P型功函数层、第三P型功函数层和第四P型功函数层构成第五功函数层；第六开口中的第二P型功函数层、第三P型功函数层和第四P型功函数层构成第六功函数层。