[发明专利]超结器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超结器件，超结器件的中间区域为电荷流动区，终端区环绕于所述电荷流动区的外周，过渡区位于所述电荷流动区和所述终端区之间；其特征在于：

电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；在俯视面上，各所述P型柱和各所述N型柱呈条形结构；

超结器件包括第一原胞，各所述第一原胞包括：

平面栅，在所述超结结构的宽度方向上，所述平面栅两侧分别和一个所述P型柱对应，令所述平面栅两侧对应的所述P型柱为两侧P型柱，两个所述两侧P型柱之间包括一个以上的P型柱且令该P型柱为中间P型柱；所述平面栅和底部的所述超结结构之间隔离有栅介质层；

在各所述两侧P型柱的顶部形成有P型阱，所述P型阱还延伸到相邻的所述N型柱的顶部，所述平面栅从顶部覆盖所述P型阱，被所述平面栅覆盖的所述P型阱的表面用于形成沟道，在所述平面栅两侧的所述P型阱的表面形成有由N+区组成的源区，所述源区和对应的所述平面栅的侧面自对准；

各所述中间P型柱的顶部没有形成源区，在所述源区和对应的所述P型阱的顶部通过相同的接触孔连接到源极；

所述超结单元的步进为其所包括的一个所述N型柱和一个所述P型柱的宽度和，所述第一原胞的步进为两个所述两侧P型柱的中心位置之间的宽度，所述第一原胞的步进大于所述超结单元的步进，通过较小的所述超结单元的步进使所述超结器件的耐压能力增加以及导通电阻降低，通过较大的所述第一原胞的步进使所述第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高所述超结器件的栅漏电容；

所述中间P型柱为浮置结构，使所述超结器件的栅漏电容随源漏电压变化趋于平缓；

所述过渡区至少包括一个P型环，各所述两侧P型柱的顶部的所述P型阱和所述P型环相接触，所述P型环的顶部通过接触孔连接到所述源极；

在沿所述超结结构的长度方向上，所述平面栅、所述源区、所述P型阱和所述源区顶部的接触孔都呈和所述超结结构的所述N型柱平行的条形结构；所述平面栅、所述源区和所述源区顶部的接触孔的条形结构都位于所述电荷流动区中；

所述P型阱的条形结构的两端延伸到所述过渡区中并和所述P型环接触，位于所述P型阱两端的所述P型环顶部的接触孔呈和所述超结结构的所述N型柱垂直的条形结构；

各所述中间P型柱和P型环之间通过设置在所述平面栅的端部和所述P型环之间的N型柱隔离，所述P型环以及所述P型阱两端的所述P型环顶部的接触孔以及所述P型阱都不电连接所述中间P型柱，从而使所述中间P型柱为浮置结构。

2.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：在沿所述超结结构的长度方向上，各条所述中间P型柱被N型柱分割成两段以上，令分割各条所述中间P型柱的N型柱为分割N型柱，通过所述分割N型柱使对应的所述中间P型柱为浮置结构。

3.如权利要求2所述的超结器件，其特征在于：在沿所述超结结构的宽度方向上，各条所述中间P型柱中的各所述分割N型柱对齐，且相邻两个所述分割N型柱之间通过P型柱隔离，令该P型柱为分割P型柱；在沿所述超结结构的长度方向上，各分割P型柱的尺寸小于对应的所述分割N型柱的尺寸，使各所述分割P型柱和对应的所述中间P型柱不接触。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的超结器件，其特征在于：所述第一原胞的步进为所述超结单元的步进的2倍以上。

5.如权利要求1至3中任一权利要求所述的超结器件，其特征在于：在保证各所述超结单元的电荷平衡的条件下，所述两侧P型柱的宽度和所述中间P型柱的宽度相同或者不同，所述两侧P型柱和所述中间P型柱的掺杂浓度相同或者不同。