[发明专利]工艺室气氛检测方法和晶片加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工方法，其特征在于，包括：晶片加工步骤，以及和所述晶片加工步骤交替进行的气氛检测步骤；其中，所述气氛检测步骤包括：在所述晶片移出工艺室后，关闭所述工艺室的阀门，通过所述工艺腔室自身的气压调控装置将室内压力降低到残气分析仪的指定工作压力以下；启动残气分析仪直接对室内气氛进行检测；若室内气氛无异常，则残气分析仪停止工作，打开工艺室阀门，等待下一片晶片进入下一所述晶片加工步骤；若室内气氛异常，则残气分析仪停止工作，发出异常警报；

所述残气分析仪设置在所述工艺室内部。

2.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其特征在于，关闭所述阀门后，将所述工艺室的基座上升到工艺位，所述残气分析仪停止工作后，将所述基座降下到传片位。

3.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其特征在于，设定预定时间，若室内压力在预定时间内降低到指定工作压力以下，则启动残气分析仪，否则发出异常警报。

4.根据权利要求1-3任意之一所述的半导体加工方法，其特征在于，所述工艺室被工艺生产线占用，当发出所述异常警报时，将所述工艺室从所述工艺生产线中释放,所述工艺生产线不再占用所述工艺室。

5.根据权利要求4所述的半导体加工方法，其特征在于，所述工艺室登出后，查询所述工艺生产线是否存在与所述工艺室执行相同工艺加工的并行工艺室；若存在，则将后续晶片传入所述并行工艺室。

6.根据权利要求3所述的半导体加工方法，其特征在于，当室内气氛异常时，所述异常警报为气氛异常警报；当室内压力未在预定时间内降低到指定工作压力时，所述异常警报为设备异常警报。

7.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其特征在于，所述指定工作压力为10-4Torr。

8.根据权利要求3所述的半导体加工方法，其特征在于，所述预定时间小于12秒。

9.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其特征在于，所述室内气氛的检测项包括氧气含量和水蒸气含量。

10.一种用于权利要求1-9任意之一所述方法的晶片加工设备，其特征在于，包括：工艺室，所述工艺室内部具有配置为在工艺位和传片位之间移动的基座，所述工艺室设置有温度控制装置；气氛控制装置，所述气氛控制装置与所述工艺室内部连通，用于控制工艺室内部的压力和真空度；残气分析仪，所述残气分析仪设置在所述工艺室内部；处理模块，用于根据残气分析仪的检测情况发出异常警报。