[发明专利]超结器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超结器件，其特征在于：

电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；在俯视面上，各所述P型柱和各所述N型柱呈条形结构；

超结器件包括第一原胞，各所述第一原胞包括：

平面栅，在所述超结结构的宽度方向上，所述平面栅两侧分别和一个所述P型柱对应，令所述平面栅两侧对应的所述P型柱为两侧P型柱，两个所述两侧P型柱之间包括一个以上的P型柱且令该P型柱为中间P型柱；

在各所述两侧P型柱的顶部形成有P型阱，所述P型阱还延伸到相邻的所述N型柱的顶部，所述平面栅从顶部覆盖所述P型阱，被所述平面栅覆盖的所述P型阱的表面用于形成沟道，在所述平面栅两侧的所述P型阱的表面形成有由N+区组成的源区，所述源区和对应的所述平面栅的侧面自对准；

在所述源区和对应的所述P型阱的顶部通过相同的接触孔连接到源极；各所述中间P型柱的顶部没有形成源区，且所述中间P型柱的电位相对于所述源区的电位为非固定的浮置结构；

所述超结单元的步进为其所包括的一个所述N型柱和一个所述P型柱的宽度和，所述第一原胞的步进为两个所述两侧P型柱的的中心位置之间的宽度，所述第一原胞的步进大于所述超结单元的步进，通过较小的所述超结单元的步进使所述超结器件的耐压能力增加以及导通电阻降低，通过较大的所述第一原胞的步进使所述第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高所述超结器件的输入电容。

2.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：所述第一原胞的步进为所述超结单元的步进的2倍以上。

3.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：在保证各所述超结单元的电荷平衡的条件下，所述两侧P型柱的宽度和所述中间P型柱的宽度相同或者不同。

4.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：在保证各所述超结单元的电荷平衡的条件下，所述两侧P型柱和所述中间P型柱的掺杂浓度相同或者不同。

5.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：在所述超结结构的宽度方向上，各所述第一原胞的所述中间P型柱的顶部形成有P型阱，各所述中间P型柱的顶部的所述P型阱都横向连接在一起且连接到所述两侧P型柱顶部的所述P型阱；在所述超结结构的长度方向上，各所述中间P型柱的顶部的所述P型阱呈间隔排列结构。

6.如权利要求5所述的超结器件，其特征在于：各所述第一原胞的所述中间P型柱的顶部的相邻的所述P型阱之间的间隔大于等于12微米。

7.如权利要求1所述的超结器件，其特征在于：各所述第一原胞的所述中间P型柱的顶部形成有多个接触孔并通过该接触孔连接到所述源极。

8.如权利要求7所述的超结器件，其特征在于：各所述第一原胞的所述中间P型柱顶部的相邻两个所述接触孔之间的间隔大于等于12微米。