[发明专利]光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件

权利要求书

1.一种光电转换层结构的制备方法，该光电转换层结构用于制备光电探测器和发光二极管，包括下述步骤：

1）制备光电转换层材料的前驱体溶液，所述光电转换层材料的前驱体溶液的结构式为 ABX₃，其中A为有机铵阳离子或Cs中的一种或两种，B为Pb或Sn中的一种或两种，X为I、Br或Cl中的一种或多种；

2）制备透明导电基底，在透明基底上表面铺设透明导电层，形成透明导电基底；

3）在步骤2）中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；

4）利用半导体加工方式，在步骤3）得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；所述骨架结构的构筑基元为凸出图形或凹坑图形，所述骨架结构为二维结构；

5）以步骤4）中的骨架结构作为骨架，将步骤1）制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。

2.根据权利要求1所述的光电转换层结构的制备方法，其特征在于所述空穴传输层的厚度为20~80nm。

3.根据权利要求1所述的光电转换层结构的制备方法，其特征在于所述步骤4）中的骨架结构的材料可以为二氧化钛、二氧化硅、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氧化乙烯、聚醚酰亚胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)或聚氧化乙烯-二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的光电转换层结构的制备方法，其特征在于所述空穴传输层的材料为2,2,7,7-四[N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基]-9,9-螺二芴、聚三芳胺、3-己基取代聚噻吩、聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、二氧化钛、氧化锌中的一种或多种。

5.一种光电器件，该光电器件应用权利要求1-4任一所述制备方法得到的光电转换层结构，采用物理镀膜技术在光电转换层结构的表面生长电子传输层，引出对电极，封装后得到相应的光电器件。

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于在光电转换层薄膜的上表面与电子传输层下表面之间设有缓冲层；所述缓冲层的材料为聚醚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基咔唑中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于所述电子传输层的材料为1,2,4,5-四（三氟甲基）苯和/或聚二辛基芴。