[发明专利]太阳能发电装置及太阳能发电系统有效
申请号: | 201610532010.9 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN105977330B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 向勇;朱焱麟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/055 |
代理公司: | 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙)51238 | 代理人: | 黎祖琴 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 发电 装置 系统 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能发电领域,尤其涉及一种太阳能发电装置及太阳能发电系统。
背景技术
随着经济的发展、社会的进步,人们对能源提出越来越高的要求,寻找新能源成为当前人类面临的迫切课题。现有电力能源的来源主要有3种,即火电、水电和核电。火电一方面需要消耗煤、石油、天然气等不可再生资源;另一方面燃烧将排出二氧化碳和硫的氧化物,会导致温室效应和酸雨,恶化地球环境,因此火电不利于可持续发展,水电受限地域和季节,而核电也存在核泄漏危险。因此,干净无污染,太阳能资源丰富,因此太阳能是绝对干净,不产生公害。因此太阳能发电被是理想能源。
基于光谱转换的荧光太阳能聚光器件(Luminescent Solar Concentrators,LSC)是一种新型的太阳能聚光器件,通过含有荧光粉的光波导汇聚太阳光,从而减少太阳能电池板使用量,提高太阳光使用效率。现有太阳能发电装置的荧光层涂在波导表面实现一定的聚光特性。但是层涂在波导表面的荧光层发射荧光约有一半未能进入波导且荧光材料薄膜暴露在外界,导致荧光太阳能聚光器件对太阳能的利用率较低,且寿命较短。
发明内容
本发明实施例通过提供一种太阳能发电装置及太阳能发电系统,解决了现有荧光太阳能聚光器件对太阳能的利用率较低且寿命较短的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种太阳能发电装置,包括:第一光波导片和与所述第一光波导片相对设置的第二光波导片,所述第一光波导片的侧边缘通过太阳能电池片与所述第二光波导片的侧边缘密封连接,所述第一光波导片上与所述第二光波导片相对的表面设置有第一荧光层,所述第二光波导片上与所述第一光波导片相对的表面设置有第二荧光层,第一光波导片与第二光波导片之间相距5-20mm真空层,所述太阳能电池片上设置有电池接头;其中,所述第一荧光层的厚度为20~100nm,所述第二荧光层的厚度为20~100nm;所述第一荧光层与所述第二荧光层均为半导体荧光材料镀膜。
优选的,所述第一光波导片的厚度为2mm~6mm;所述第二光波导片的厚度为2mm~6mm。
优选的,所述第一光波导片与所述第二光波导片为相同尺寸的多边形平板玻璃。
第二方面,本发明实施例提供了一种太阳能发电系统,包括:逆变器,平排的多个第一方面所述的太阳能发电装置,所述太阳能发电装置上的电池接头与所述逆变器电气连接。
第三方面,第一方面提供的太阳能发电装置作为窗户玻璃或门玻璃。
本发明实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本发明提供的太阳能发电装置包括第一光波导片和与第一光波导片相对设置的第二光波导片,第一光波导片的侧边缘通过太阳能电池片与第二光波导片的侧边缘密封连接,第一光波导片朝向第二光波导片的一面有第一荧光层,第二光波导片朝向第一光波导片的一面有第二荧光层。从而第一荧光层和第二荧光层均保护于两层光波导片之间,避免了第一、第二荧光层受外界污染和损坏,因此延长了荧光层的寿命,且第一、第二荧光层这双层荧光层相比现有单层荧光薄膜能对太阳能利用率加倍,因此解决了现有荧光太阳能聚光器件对太阳能的利用率较低且寿命较短的技术问题,进而提高了太阳能利用率,延长了荧光太阳能聚光器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中太阳能发电装置的纵剖结构示意图;
图2为本发明实施例中第一实施方式太阳能发电装置的立体图;
图3为图2的俯视图;
图4为本发明实施例中第二实施方式太阳能发电装置的立体图;
图5为多个图2中太阳能发电装置并排的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610532010.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的