[发明专利]一种基于SAXS技术的二维散射谱计算方法及系统有效
申请号: | 201610534987.4 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN107589134B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 海洋;朱才镇;邱昭政;赵宁;徐坚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所;深圳大学 |
主分类号: | G01N23/201 | 分类号: | G01N23/201 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞;张祖萍 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 saxs 技术 二维 散射 计算方法 系统 | ||
本发明涉及一种基于SAXS技术的二维散射谱计算方法,该方法包括以下步骤:象限选择步骤:利用SAXS本身的特性进行简化,基于SAXS散射图谱的对称性,选择其中一个象限进行匹配;提取特征点的步骤:提取该象限内SAXS散射图谱的特征点;筛选散射图谱的步骤:根据提取的特征点筛选该象限内的SAXS散射图谱;筛选全散射图谱的步骤:基于SAXS散射图谱的对称性,由该象限内的SAXS散射图谱生成整个SAXS散射图谱。本发明还提出一种基于SAXS技术的二维散射谱计算系统。本发明根据SAXS本身的特性只需对一个象限进行匹配,在保留足够信息量的同时减少计算拟合的数据量,有效提高二维散射图谱的计算时间。
技术领域
本发明涉及一种数据计算拟合方法,具体涉及一种基于SAXS技术的二维散射谱计算方法及系统。
背景技术
小角X射线散射(SAXS)是一种无损分析微纳结构的方法,是发生在X射线方向附近小角度范围内的电子相干散射现象,它来自于样品内部电子密度差,是研究介观尺度(一到几百纳米)内物质结构的重要手段。不同于X射线衍射分析晶体结构,SAXS适合在相对较低分辨率下分析非晶材料的结构特征,被广泛应用于解析纳米尺度电子密度不均匀物质(纳米颗粒或纳米孔洞)的结构尺寸、比表面、孔径分布、界面信息等。SAXS适用样品范围宽,干、湿、气态样品都适用;与常规显微结构分析,如SEM、TEM相比较,SAXS几乎不需特殊样品制备,能表征TEM无法测量的样品。SAXS可以直接测量体相材料,有较好的粒子统计平均性,在化学、化工、材料科学、分子生物学、医药学、凝聚态物理等多学科都有广泛应用。研究对象包括具有各种纳米结构,如液晶、液晶态生物膜的各种相变化、溶致液晶、胶束、囊泡、脂质体、表面活性剂缔合结构、生物大分子(蛋白质、核酸等)、自组装超分子结构、微孔、晶粒等,溶胶分形结构和界面层结构、聚合物溶液、结晶取向聚合物(工业纤维和薄膜)、嵌段离子离聚物的微观结构等。
SAXS测试简单,数据分析复杂,虽然经过多年的研究,但SAXS理论分析方法依然不完善。SAXS模型处理复杂、数据分析困难,成为影响其广泛应用的主要瓶颈和关键科学问题之一。在二维SAXS散射谱分析拟合过程中,不仅理论计算复杂,而且由于其数据量较大,计算拟合的过程非常耗时。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种基于SAXS技术的二维散射谱计算方法及系统,根据SAXS本身的特性对计算对象进行简化,在保留足够信息量的同时减少计算拟合的数据量,有效提高二维散射图谱的计算时间。
本发明提出的一种基于SAXS技术的二维散射谱计算方法,该方法包括以下步骤:
象限选择步骤:利用SAXS本身的特性进行简化,基于SAXS散射图谱的对称性,选择其中一个象限进行匹配;
提取特征点的步骤:提取该象限内SAXS散射图谱的特征点;
筛选散射图谱的步骤:根据提取的特征点筛选该象限内的SAXS散射图谱;
筛选全散射图谱的步骤:基于SAXS散射图谱的对称性,由该象限内的SAXS散射图谱生成整个SAXS散射图谱。
进一步地,在提取特征点的步骤中,具体包括以下步骤:
步骤21.对SAXS散射图谱进行各种校正;
步骤22.根据散射强度作散射图谱的等值线;
步骤23.设定M个散射矢量Q1、Q2、……、QM,并画圆,M为正整数;
步骤24.圆与等值线在该象限内的交点即为特征点。
进一步地,M为大于等于4的正整数。
进一步地,筛选散射图谱步骤中采用式(1)进行计算:
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