[发明专利]一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构及其金属孔、金属层制造工艺

权利要求书

1.一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于利用金属孔代替连接在磁性隧道结下的第一层金属，结构包括：有源区、多晶体栅极、后段金属与前段器件连接孔、第一层金属、第二层金属、金属孔、磁性隧道结；多晶体栅极设于有源区上方，将有源区分为源极与漏极；源极通过后段金属与前段器件连接孔与金属孔相连；金属孔上方连接有磁性隧道结；第二层金属连接在磁性隧道结上方；漏极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述的第一层金属、第二层金属带有金属走线。

3.根据权利要求2所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述金属走线的材质为铜，铝，金，银，钨，钽中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述金属孔的材质为铜，铝，金，银，钨，钽中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述的源极带有源极线。

6.根据权利要求1所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述的漏极带有位线。

7.根据权利要求1所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构，其特征在于：所述的多晶体栅极带有字线。

8.一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构的金属孔、金属层制造工艺，其特征在于，采用二次曝光的方法定义金属孔及金属层的工艺，包括如下步骤：

1)在ILD及CONT工艺制备完后，沉积一层氧化层；

2)在氧化膜上沉积一层坚硬金属薄膜，用作金属层及金属孔图形复刻时的硬掩模；

3)利用光刻曝光分别显影出金属层与金属孔图形，将图形复刻到硬掩模上，并对金属层与金属孔进行刻蚀；

4)刻蚀完后通过常规大马士革工艺，结合金属沉积以及平坦化工艺做出金属层以及金属孔。

9.根据权利要求8所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构的金属孔、金属层制造工艺，其特征在于：通过反应离子刻蚀方法将图形复刻到硬掩模上。

10.根据权利要求8所述的一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构的金属孔、金属层制造工艺，其特征在于：所述步骤3)利用光刻曝光分别显影出金属层与金属孔图形的先后顺序不限。