[发明专利]多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构在审
| 申请号： | 201610540169.5 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106098778A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 过分 刻蚀 mos 结构 | ||
【权利要求书】：
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