[发明专利]一种晶圆平坦化方法

权利要求书

1.一种晶圆平坦化方法，所述晶圆为大尺寸图形芯片，所述晶圆表面经化学气相沉积填充氧化物后其厚度在4um～10um范围；其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤1，晶圆表面粗抛；通过粗抛去除晶圆表面75%～85%的氧化物；

步骤2，晶圆表面精抛；利用固结磨料的抛光垫以及抛光液对经过步骤1粗抛后的晶圆表面进行精抛，通过精抛去除晶圆表面剩余的氧化物；

步骤3，晶圆后处理；在低压力条件下利用去离子水对晶圆表面进行抛光，清除晶圆表面残留的抛光液，调整晶圆表面至疏水性；

固结磨料的抛光垫参数如下：

磨料粒径0.2～0.5微米;

粉末含量≧ 40％;

表面宽度/沟槽宽度比为2.0～3.0;

沟槽宽度0.8～1.2毫米;

抛光垫硬度85～90肖氏D;

压缩率0.35％～0.4％。

2.根据权利要求1所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，微电子机械系统类器件的晶圆的图形线宽在100um～900um。

3.根据权利要求1所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，在步骤1中，通过粗抛去除晶圆表面80%的氧化物。

4.根据权利要求1所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，在步骤2中，固结磨料的抛光垫包括抛光垫层和磨粒层，所述磨粒层为固结磨料的薄膜。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，在步骤2中，抛光液有两种选择：第一种抛光液内仍含有少量小尺寸形状较规则的磨料，对晶圆表面氧化物进行化学腐蚀的同时，对经腐蚀形成的表面钝化层进行低缺陷的平坦化；第二种抛光液中完全不含磨料，仅对晶圆表面氧化物产生化学腐蚀作用，经腐蚀形成的表面钝化层由固结在抛光垫上的磨料去除。

6.根据权利要求5所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，步骤1，晶圆表面粗抛的工艺条件如下：

研磨压力，3psi；

抛光液流速，250ml/min；

抛光台/抛光头转速分别为，121/115 rpm；

抛光垫修整器压力，7lbf。

7.根据权利要求6所述的晶圆平坦化方法，其特征在于，步骤2，晶圆表面精抛的工艺条件如下：

研磨压力，2.5 psi～3psi；

抛光垫修整器压力，7lbf；

抛光台/抛光头转速分别为，70～90rpm/64～84rpm。