[发明专利]一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置

权利要求书

1.一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置，其特征在于包括：支架系统、定位系统、传动系统、喷砂系统和砂浆系统；其中：

定位系统设置在传动系统上，包括至少一个真空载台、至少一个真空源和至少一个真空管；真空载台的上端面设置有通孔，真空载台的上端面用于承载金刚线多晶硅片；真空载台通过真空管可拆卸地与真空源连通；

传动系统设置在支架系统上，用于驱动真空载台进出支架系统；

传动系统包括：传动轨道、驱动单元和传动链；其中，

传动轨道可拆卸地设置在支架系统上，用于承载真空载台、并限定真空载台进出支架系统的轨迹；

传动链与驱动单元连接，其行进方向与传动轨道平行，传动链上设置有限位齿；传动链运动过程中限位齿驱动真空载台沿着传动轨道的方向进出支架系统；

喷砂系统设置在支架系统内、并与砂浆系统连接，用于将砂浆系统中的磨液喷涂到金刚线多晶硅片的表面；

喷砂系统的喷枪能够沿着垂直于真空载台运动的方向往复运动。

2.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，传动轨道上均匀间隔地设置有垂直于所述传动轨道的滚动体。

3.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，传动系统进一步包括：推送单元和传感器；

推送单元设置在传动轨道上，用于承载待处理的真空载台；

传感器设置在传动轨道的进入端；

当传感器检测到限位齿时，推送单元将待处理的真空载台推送到传动轨道的进入端，利用该限位齿驱动真空载台沿着传动轨道的方向进出支架系统。

4.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，真空载台上端面的通孔的数量为一个、两个或更多个；当真空载台上端面设置有至少两个通孔时，所述至少两个通孔均匀分布。

5.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，通孔的横截面为由弧线和/或线段组成的封闭图形。

6.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，每个真空载台包括至少一个承载区，每个承载区承载一个金刚线多晶硅片；和/或与每个真空源对应的真空载台的数量至少为一个。

7.如权利要求1所述的喷砂装置，其特征在于，喷砂装置的靶距满足如下关系：

式中，S为加工面积，单位为mm²；R为喷枪出液口的半径，单位为mm；μ为靶距变换系数，单位为1/mm，μ的取值为0-50/mm；L为靶距，单位为mm；β为喷枪出液口散射角度，单位为rad；V_S为横向基础加工速率，单位为mm²/s； t为加工时间，单位为s。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的喷砂装置在对于金刚线多晶硅片进行喷砂中的应用。