[发明专利]半导体集成电路的电容器以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

衬底，所述衬底包括衬底热膨胀系数，其中所述衬底为单片玻璃层；以及

电容器，所述电容器在所述衬底上并且包括：

下部晶种层，所述下部晶种层直接地在所述衬底的最顶衬底表面上并且包括下部晶种热膨胀系数；

下部电极层，所述下部电极层在所述下部晶种层上并且包括下部电极热膨胀系数；

组件，所述组件将所述下部电极层直接耦合到上部晶种层，所述组件由以下组成：

缓冲层，所述缓冲层在所述下部电极层上，其中所述缓冲层包括缓冲热膨胀系数，并且其中所述缓冲层为钛钨；以及

介电层，所述介电层在所述缓冲层上，使得所述缓冲层位于所述介电层与所述下部电极层之间，所述介电层包括介电热膨胀系数，其中所述缓冲层补偿所述下部电极热膨胀系数与所述介电热膨胀系数的差；

所述上部晶种层，所述上部晶种层直接地在所述介电层上并且包括上部晶种热膨胀系数；以及

上部电极层，所述上部电极层直接地在所述上部晶种层上并且包括上部电极热膨胀系数；

其中：

所述下部电极热膨胀系数大于所述缓冲热膨胀系数；

所述缓冲热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；

所述下部电极热膨胀系数大于所述下部晶种热膨胀系数；

所述上部电极热膨胀系数大于所述上部晶种热膨胀系数；

所述上部晶种热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；

所述下部电极热膨胀系数与所述缓冲热膨胀系数之间的差大于所述缓冲热膨胀系数与所述介电热膨胀系数之间的差；并且

所述下部晶种层、所述缓冲层和所述上部晶种层是相同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中：

所述电容器的每一层于所述衬底上；

所述下部晶种层包括直接地在所述最顶衬底表面上的电镀层；

所述下部电极层包括在所述下部晶种层上的电镀层；

所述缓冲层包括在所述下部电极层上的溅镀层；

所述介电层包括在所述缓冲层上的化学气相沉积层；

所述上部晶种层包括直接地在所述介电层上的电镀层；并且

所述上部电极层包括直接地在所述上部晶种层上的电镀层。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中：

所述衬底是完全平坦的。

4.一种半导体集成电路，包括：

衬底，其中所述衬底为单片玻璃层；以及

电容器，所述电容器在所述衬底上并且包括：

下部晶种层，所述下部晶种层直接接触所述衬底并且包括下部晶种热膨胀系数；

下部电极层，所述下部电极层耦合到所述下部晶种层并且包括下部电极热膨胀系数；

组件，所述组件将所述下部电极层直接耦合到上部电极结构，所述组件由以下组成：

缓冲层，所述缓冲层在所述下部电极层上，其中所述缓冲层包括缓冲热膨胀系数，所述下部电极层的侧面的至少一部分从所述缓冲层暴露，并且所述下部晶种层和所述缓冲层各自包括相同材料的层；

介电层，所述介电层在所述缓冲层上，使得所述缓冲层位于所述介电层与所述下部电极层之间，所述介电层包括介电热膨胀系数；以及

所述上部电极结构，所述上部电极结构直接地在所述组件的所述介电层上；

其中：

所述下部电极热膨胀系数大于所述缓冲热膨胀系数；

所述下部电极热膨胀系数大于所述下部晶种热膨胀系数；并且

所述缓冲热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中：

所述上部电极结构包括：

上部晶种层，所述上部晶种层直接在所述介电层上；和

上部电极层，所述上部电极层直接电镀在所述上部晶种层上。

6.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中：

所述缓冲层为钛钨；和

所述介电层包括：

氮化硅、氧化铝和/或二氧化铪。