[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请引用2016年1月11日递交的第10-2016-0003231号韩国专利申请、主张所述韩国专利申请的优先权并主张所述韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。

技术领域

本发明的某些实施例涉及一种半导体装置及一种其制造方法。

背景技术

一般来说，半导体装置包含通过处理晶片并在晶片上形成集成电路(IC)而制造的半导体裸片。

在将半导体裸片用作RF装置的情况下，当半导体装置通过射频传输信号时，可能因在处理晶片之后晶片衬底保留而引起功率的损失，并且也可能出现电流的泄漏。

发明内容

本发明提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置及其制造方法能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。

本发明还提供一种半导体装置和一种其制造方法，通过使用经形成以覆盖半导体裸片的氧化物层来完全移除保留的晶片衬底，所述半导体装置及其制造方法能够防止电流泄漏并且能够减少功率损失。

将在优选实施例的以下描述中描述或从以下描述中清楚本发明的上述和其它目的。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包含：通过在晶片衬底上相继形成氧化物层、半导体层和后段制程(BEOL)层来准备晶片；切割晶片以将晶片划分为个别半导体芯片；通过翻转半导体芯片并从半导体芯片移除晶片衬底来将半导体芯片安装在载体的一个表面上；使用包封物包封载体的一个表面和半导体芯片且接着移除载体；在移除载体的同时形成待电连接到向外暴露的BEOL层的再分布层；以及形成待电连接到待电连接到再分布层的导电凸块。

根据本发明的另一个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸 片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。

如上所述，在半导体装置及其制造方法中，能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。

另外，在半导体装置及其制造方法中，通过使用经形成以覆盖半导体裸片的氧化物层来完全移除保留的晶片衬底，能够防止电流泄漏并且能够减少功率损失。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的半导体装置的制造方法的流程图；

图2A到2J是示出图1中所示的半导体装置的制造方法的各种步骤的横截面图；

图3是示出根据本发明的另一实施例的半导体装置的制造方法的流程图；以及

图4A到4F是示出图3中所示的半导体装置的制造方法的各种步骤的横截面图。

具体实施方式

本发明的各种方面可以许多不同形式实施且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本发明的这些实例实施例是为了使本发明将为充分且完整的，并且将向所属领域的技术人员传达本发明的各种方面。

在图式中，为了清楚起见而放大了层和区域的厚度。此处，类似参考标号通篇指代类似元件。如本文中所使用，术语“和/或”包含相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。另外，本文中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意图限制本发明。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”在用于本说明书时指定所陈述的特征、数目、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。

应理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种部件、元件、区域、层和/或区段，但是这些部件、元件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区域、层和/或区段与另一部件、元件、区域、层和/或区段。因此，例如，下文论述的第一部件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一区段可能被称为第二部件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二区段而不脱离本发明的教示。现在将详细参考本发明的当前实施例，在附图中图示所述实施例的实例。