[发明专利]一种深紫外发光二极管的芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

一、提供一外延衬底，采用MOCVD在外延衬底上依次形成缓冲层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型限制层及第二型导电层；

二、在外延表面的第二型导电层上采用掩膜、光刻形成第一电极及扩展电极制作区域；

三、采用ICP蚀刻第一电极及扩展电极制作区域，深度至第一型导电层的中间厚度位置；

四、处理干净外延片，再置于PVD蒸镀，在第二型导电层、外延层侧面形成AlN电极隔离层；

五、外延片再置于MOCVD二次外延生长n-GaN材料于第一电极及扩展电极制作区域形成第一型欧姆接触层；

六、采用掩膜光刻，及带元素探测的ICP蚀刻技术，去除第二型导电层上的AlN材料及n-GaN，露出第二型导电层；

七、在第二型导电层上形成ITO透明导电层；

八、在同时在ITO透明导电层上形成第二电极；在第一电极制作区域的第一型欧姆接触层上形成第一电极；在扩展电极制作区域的第一型欧姆接触层上形成扩展电极。