[发明专利]一种高温相变陶瓷电缆

权利要求书

1.一种高温相变陶瓷电缆，包括导体、绝缘层，其特征在于：所述绝缘层为高温相变绝缘层，在绝缘层外侧还依次包裹有多孔氧化铝-铝层、耐高温陶瓷层；所述绝缘层采用10～20％wt氮化硅微粉、10～20％wt碳化硅微粉、2～8％wt氧化钇微粉、2～6％wt二氧化锆微粉、32～46％wt硅酸铝盐、1～5％wt钼酸盐、15～23％wt硅溶胶混合涂覆而成。

2.根据权利要求1所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述绝缘层采用13～17％wt氮化硅微粉、13～17％wt碳化硅微粉、3～6％wt氧化钇微粉、3～5％wt二氧化锆微粉、37～43％wt硅酸铝盐、2～4％wt钼酸盐、17～20％wt硅溶胶混合涂覆而成。

3.根据权利要求2所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述绝缘层采用15％wt氮化硅微粉、15％wt碳化硅微粉、5％wt氧化钇微粉、4％wt二氧化锆微粉、40％wt硅酸铝盐、3％wt钼酸盐、18％wt硅溶胶混合涂覆而成。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述氮化硅微粉、碳化硅微粉、氧化钇微粉、二氧化锆微粉的粒径小于等于10μm。

5.根据权利要求1-3任一项所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述耐高温陶瓷层由Y型二氧化硅分子筛或Y型沸石分子筛20～30wt％、碳化硅40～60wt％以及余量的硅溶胶组成。

6.根据权利要求5所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述高温相变陶瓷电缆的制备方法包括如下步骤：1)将铝箔清洗干净后放入电解槽中，以铝箔做正极进行预氧化刻蚀，然后再放入稀盐酸中除去铝箔两面的氧化铝，得到表面带微孔的铝箔；2)将步骤1)制得的铝箔再次放入电解槽中，以铝箔为正极进行氧化，得到表面带微孔的氧化铝-铝箔；3)将氮化硅微粉、碳化硅微粉、氧化钇微粉、二氧化锆微粉、硅酸铝盐、钼酸盐、硅溶胶按照比例混合均匀成糊状，然后涂覆在步骤2)制得的氧化铝-铝箔的其中一面，干燥；4)将Y型二氧化硅分子筛或Y型沸石分子筛20～30％wt、碳化硅40～60wt％以及余量的硅溶胶混合均匀成糊状，然后涂在步骤2)制得的氧化铝-铝箔的另一面，干燥；5)将氮化硅微粉、碳化硅微粉、氧化钇微粉、二氧化锆微粉、硅酸铝盐、钼酸盐、硅溶胶按照比例混合均匀成糊状，作为粘结剂涂覆在导体表面，然后再将步骤4)制得的氧化铝-铝箔紧贴在所述导体上，干燥，得到电缆半成品；6)将步骤5)制得的电缆半成品放入350～400℃烧结至少5h，得到电缆成品。

7.根据权利要求5所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述高温相变陶瓷电缆的制备方法包括如下步骤：1)将铝箔清洗干净后放入电解槽中，以铝箔做正极进行预氧化刻蚀，然后再放入稀盐酸中除去铝箔两面的氧化铝，得到表面带微孔的铝箔；2)将步骤1)制得的铝箔再次放入电解槽中，以铝箔为正极进行氧化，得到表面带微孔的氧化铝-铝箔；3)将氮化硅微粉、碳化硅微粉、氧化钇微粉、二氧化锆微粉、硅酸铝盐、钼酸盐、硅溶胶按照比例混合均匀成糊状，然后涂覆在步骤2)制得的氧化铝-铝箔的其中一面，干燥；4)向水玻璃中加入偏铝酸钠、碳化硅微粉、磷酸三乙酯、三乙醇胺、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠，得到混合悬浊液，然后将上述混合悬浊液电泳在步骤3)制得的氧化铝-铝箔的另一面，再将电泳后的氧化铝-铝箔放入盛有二氧化碳的密闭容器中，在120～150℃下反应至少5h，取出，用水漂洗，晾干；5)将氮化硅微粉、碳化硅微粉、氧化钇微粉、二氧化锆微粉、硅酸铝盐、钼酸盐、硅溶胶按照比例混合均匀成糊状，作为粘结剂涂覆在导体表面，然后再将步骤4)制得的氧化铝-铝箔紧贴在所述导体上，干燥，得到电缆半成品；6)将步骤5)制得的电缆半成品放入350～400℃烧结至少5h，得到电缆成品。

8.根据权利要求7所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述混合悬浊液中水玻璃的浓度为0.5～2mol/L，偏铝酸钠的浓度为0.1～0.5mol/L，所述碳化硅微粉的浓度为1～3mol/L，所述磷酸三乙酯的浓度为0.05～0.1mol/L，所述三乙醇胺的浓度为0.01～0.05mol/L，所述脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠的浓度为0.01～0.05mol/L。

9.根据权利要求8所述的高温相变陶瓷电缆，其特征在于：所述电泳的参数为：电泳正负极两极板之间的距离为10～12cm，电泳电压为50～60V，混合悬浊液温度为60～70℃，电泳时间为1～2h。