[发明专利]一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽有效
| 申请号： | 201610568099.4 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN105970247B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李国岭 | 申请（专利权）人： | 李国岭 |
| 主分类号： | C25B1/30 | 分类号： | C25B1/30;C25B11/06 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孙笑飞 |
| 地址： | 471023 河南省洛阳市洛龙*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解槽 半导体氧化物层 单晶半导体 氧化物阳极 阳极 导电玻璃 过氧化氢 基板 制备 碱性电解液 光照条件 电极 单晶片 导电膜 钒酸铋 阳极区 阴极区 槽壁 晶向 掺杂 承载 覆盖 | ||
【权利要求书】：
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