[发明专利]一种用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法有效
申请号: | 201610568786.6 | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN106205863B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 杨柏儒;刘贵师;许钰旺;陈鹏;谢汉萍 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 陈卫,禹小明 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 性能 纳米 透明 导电 薄膜 卷制程 方法 | ||
1.一种用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,
s1.放卷方向为衬底的前进方向,首先由表面处理模块对衬底进行第一次表面改性,改善薄膜润湿性,同时为s3中的第二次表面处理提供可接枝的羟基基团;
所述表面处理模块包括提拉浸渍装置和UV臭氧处理装置,或所述表面处理模块包括提拉浸渍装置和电晕装置;
s2.对s1所得的衬底进行纳米银线涂布,并对涂布完成后的薄膜经由导电性增强模块进行导电性增强处理,形成衬底-纳米银线薄膜;
所述的导电性增强模块包括机械压合装置、光烧结装置或者微波熔接装置;
s3.对s2所述导电性增强处理后的纳米银线薄膜进行第二次表面处理,选择性的改变纳米银线和衬底的亲疏水性;
所述的第二次表面处理为,采用气相沉积装置或浸渍提拉装置对衬底-纳米银线表面进行选择性接枝改性,接枝后使衬底表面疏水,而纳米银线的亲疏水性不受影响;
所述选择性接枝改性的材料为有机硅化合物,所述的有机硅化合物一端带有可水解的基团,另一端带有疏水基团;
s4.直接在s3改性后的衬底-纳米银线上涂布固化胶,经过固化模块后将纳米银线与原衬底剥离,而形成纳米银线部分内嵌入固化胶内部的固化胶-纳米银线复合薄膜结构;或者预先在目标衬底上涂布固化胶,将涂布有固化胶的目标衬底与经由s3改性后的衬底-纳米银线薄膜贴合,经过剥离模块后将纳米银线与原衬底剥离,形成目标衬底-固化胶-纳米银线复合薄膜结构;
s5.收卷即得到所述高性能纳米银线透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,所述的衬底为聚丙烯酸酯类、聚酯类或芳香族聚合物。
3.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,所述衬底为聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸脂、聚甲醛树酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚氨酯或环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,利用张力辊控制薄膜的运行速度和张力。
5.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于所述的可水解的基团为-Cl、-OCH3、 -OC2H5、 -OC2H4OCH3、 -OSi(CH3)3 或CH3COO-,所述的疏水基团为-CH3或-CF3。
6.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,所述的固化胶为环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、明胶、羟丙基甲基纤维素、丙烯酸树脂、氰基丙烯酸酯、聚氨酯树脂或UV固化胶中的一种或多种;固化方式为常温固化、加热固化或者UV固化。
7.根据权利要求1所述的用于制备高性能纳米银线透明导电薄膜的卷对卷制程方法,其特征在于,采用的导电基质为纳米银线、Au、Cu、Fe、Ni、Co纳米线、上述银、Au、Cu、Fe、Ni、Co金属的合金纳米金属线、或其混合材料。
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