[发明专利]二维黑磷PN结、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种二维黑磷PN结的制备方法，其特征在于包括：

提供二维黑磷薄膜；

至少选用物理和/或化学沉积方式在所述黑磷薄膜表面的局部区域沉积Si_xN_y薄膜，x:y=1:(0.5~2)，使所述黑磷薄膜的局部区域被n型掺杂形成n型半导体，同时使所述黑磷薄膜的其它局部区域保持为p型半导体，并使所述n型半导体与p型半导体结合形成PN结。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述物理和/或化学沉积方式包括旋涂、PECVD、ICPCVD、LPCVD、热蒸发、电子束热蒸发、磁控溅射或原子层沉积方式。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述黑磷薄膜的厚度为0.5~100nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述黑磷薄膜至少是通过微机械剥离法或液相剥离法从黑磷晶体剥离获得。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述Si_xN_y薄膜的厚度为5~2000nm。

6.由权利要求1-5中任一项所述方法制备的二维黑磷PN结，其具有单向导通性和/或光伏特性，所述光伏特性的表征参数包括：所述二维黑磷PN结的短路电流为1~200纳安，开路电压为1~500毫伏，最大输出功率为1~100纳瓦。

7.由权利要求1-5中任一项所述方法制备的二维黑磷PN结于制备电子器件或光电器件的用途，所述电子器件或光电器件选自整流二极管、检波二极管、开关二极管、稳压二极管、雪崩二极管、半导体激光二极管、半导体发光二极管或双极型晶体管。