[发明专利]存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元在审
申请号: | 201610571257.1 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN107643876A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 萧又华 | 申请(专利权)人: | 大心电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 管理 方法 存储 装置 控制电路 单元 | ||
1.一种存储器管理方法,用于包括多个物理擦除单元的可重写非易失性存储器模块,其特征在于,所述存储器管理方法包括:
为所述多个物理擦除单元中的第一物理擦除单元配置预设编码规则,其中所述预设编码规则包括基于预设码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的第一类物理编程单元的数据并基于所述预设码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的第二类物理编程单元的数据;
获得所述第一物理擦除单元的错误评估信息;
根据所述第一物理擦除单元的所述错误评估信息,为所述第一物理擦除单元配置第一编码规则,其中所述第一编码规则包括基于第一码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的所述第一类物理编程单元的数据并基于第二码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的所述第二类物理编程单元的数据,
其中所述第一码率的值大于所述预设码率的值,其中所述第二码率的值小于所述预设码率的值。
2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一类物理编程单元为下物理编程单元,并且所述第二类物理编程单元为上物理编程单元。
3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一码率的值与所述第二码率的值的总和等于所述预设码率的值的二倍。
4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,所述预设编码规则还包括基于所述预设码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的第三类物理编程单元的数据,
其中所述第一编码规则还包括基于第三码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的所述第三类物理编程单元的数据,
其中所述第一码率的值、所述第二码率的值及所述第三码率的值的总和等于所述预设码率的值的三倍。
5.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一类物理编程单元为下物理编程单元,所述第二类物理编程单元为上物理编程单元,并且所述第三类物理编程单元为额外物理编程单元。
6.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第三码率的值等于所述预设码率的值。
7.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,根据所述第一物理擦除单元的所述错误评估信息,为所述第一物理擦除单元配置所述第一编码规则的步骤包括:
根据属于所述第一物理擦除单元的所述第一类物理编程单元或属于所述第一物理擦除单元的所述第二类物理编程单元的位错误率来决定所述第一码率与所述第二码率。
8.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:
连接接口单元,用以连接至主机系统;
可重写非易失性存储器模块,包括多个物理擦除单元;以及
存储器控制电路单元,连接至所述连接接口单元与所述可重写非易失性存储器模块,
其中所述存储器控制电路单元用以为所述多个物理擦除单元中的第一物理擦除单元配置预设编码规则,其中所述预设编码规则包括基于预设码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的第一类物理编程单元的数据并基于所述预设码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的第二类物理编程单元的数据,
其中所述存储器控制电路单元更用以获得所述第一物理擦除单元的错误评估信息,
其中所述存储器控制电路单元更用以根据所述第一物理擦除单元的所述错误评估信息,为所述第一物理擦除单元配置第一编码规则,其中所述第一编码规则包括基于第一码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的所述第一类物理编程单元的数据并基于第二码率来编码欲存储至属于所述第一物理擦除单元的所述第二类物理编程单元的数据,
其中所述第一码率的值大于所述预设码率的值,其中所述第二码率的值小于所述预设码率的值。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其特征在于,所述第一类物理编程单元为下物理编程单元,并且所述第二类物理编程单元为上物理编程单元。
10.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其特征在于,所述第一码率的值与所述第二码率的值的总和等于所述预设码率的值的二倍。
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