[发明专利]一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法在审
| 申请号： | 201610574275.5 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107644810A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 高明超;王耀华;刘江;赵哿;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 igbt frd 芯片 正面 电极 加工 方法 | ||
1.一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，所述正面电极包括第一金属层和第二金属层，其特征在于，所述正面电极加工方法包括：
在所述第一金属层上采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层，并对所述第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；
对所述第一窗口处暴露出的所述第一金属层进行反溅刻蚀，去除所述第一金属层表面的氧化层并将其表面打毛糙；
将所述第二金属层溅射在所述第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构的表面上，并对所述第二金属层进行刻蚀；
在所述第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对所述第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。
2.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，其特征在于，所述对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀的厚度为50埃。
3.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，其特征在于，所述在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层为：
在所述组合结构的所有表面上旋转涂布所述第二薄膜层。
4.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为4微米；所述第二金属层的厚度为3-8微米。
5.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，其特征在于，所述第一薄膜层为SixNy薄膜层；所述第二薄膜层为聚酰亚胺薄膜层。
6.如权利要求1、3或5所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，其特征在于，所述第一薄膜层厚度为0.7微米；所述第二薄膜层的厚度为20微米。
7.一种压接式IGBT芯片，包括集电极电极、发射极电极和栅极电极，其特征在于，所述发射极电极采用权利要求1-6所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法制造的正面电极。
8.一种压接式FRD芯片，其特征在于，所述压接式FRD芯片采用权利要求1-6所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法制造的正面电极。
9.一种压接式功率模块，其特征在于，所述压接式功率模块包括多个权利要求7所述的压接式IGBT芯片和多个权利要求8所述的压接式FRD芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
