[发明专利]基片刻蚀方法

权利要求书

1.一种基片刻蚀方法，所述基片为碳化硅，其特征在于，包括：

基片刻蚀步骤，采用二氧化硅掩膜层对基片进行刻蚀，形成侧壁倾斜的基片图形；其中，所述二氧化硅掩膜层的图形侧壁倾斜；并且，所述基片图形的侧壁的倾斜角度大约是所述掩膜层图形的侧壁的倾斜角度的两倍；

所述掩膜图形的侧壁的倾斜角度的取值范围在10～40°；

所述基片图形的侧壁的倾斜角度的取值范围在45～50°。

2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述二氧化硅掩膜层的厚度的取值范围在2～3um。

3.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述基片刻蚀步骤之前，还包括：

掩膜刻蚀步骤，对所述二氧化硅掩膜层进行刻蚀形成侧壁倾斜的掩膜图形；其中，掩膜刻蚀气体包括C₄F₈和Ar。

4.如权利要求3所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述掩膜刻蚀步骤中，腔室压强为20mT；上电极功率为2000W；下电极功率为100W；所述C₄F₈的气体流量为50sccm；所述Ar的气体流量为80sccm。

5.如权利要求1-4任意一项所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述基片刻蚀步骤中，基片刻蚀气体包括HBr、碳氟类气体和氧气；或者包括HBr、SF₆和氧气。

6.如权利要求5所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述HBr的气体流量占总流量的60％～80％；所述碳氟类气体或者SF₆的气体流量占总流量的10％～20％；所述氧气的气体流量占总流量的10％～20％。

7.如权利要求5所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括CF₄或者CHF₃。

8.如权利要求1-4任意一项所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述基片刻蚀步骤中，下电极功率的取值范围在200～250W。

9.如权利要求1-4任意一项所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在所述基片刻蚀步骤中，腔室压强为10mT；上电极功率为1000W；下电极功率为200W；基片刻蚀气体包括HBr、碳氟类气体和氧气，或者包括HBr、SF₆和氧气，所述碳氟类气体或者SF₆的气体流量为10sccm；所述HBr的气体流量为100sccm；所述氧气的气体流量为15sccm。