[发明专利]薄型化保护元件

权利要求书

1.一种薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构；其特征在于：

该屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于该熔断结构表面。

2. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构以合金型态呈现。

3. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。

4. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。

5. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。

6. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。

7. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

8. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

9. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。

10. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。

11. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。

12. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。

13. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。

14. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。

15. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。

16. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。

17. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。

18. 如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。