[发明专利]一种晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，其配方包括：球形银粉、玻璃粉、有机溶剂和助剂，助剂中包含增稠剂和网状结构的抗收缩添加剂，银浆中抗收缩添加剂的重量百分比为0.05～5%，抗收缩添加剂的熔点高于700℃且网孔孔径不小于银粉的平均粒径，抗收缩添加剂的孔率为40~80%。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述抗收缩添加剂由组分A或组分B 或组分A、B的组合组成，组分A为选自Au、Ag、Cu、Ni、碳纳米管中的至少一种，组分B为选自ZnO、WO₃、NiO、Al₂O₃、CuO、SnO₂、TiO₂、SiO₂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述抗收缩添加剂的尺寸为0.1~5μm，网孔孔径为0.1~3μm。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，按重量百分比计，银浆的配方包括：第一球形银粉25～40%、第二球形银粉10～20%、片状银粉7～15%、玻璃粉1～4%、有机溶剂18～44%、增稠剂4～12%、抗收缩添加剂1～3%和其它助剂0.5～2%；第二球形银粉的平均粒径小于第一球形银粉的平均粒径。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述第一球形银粉的平均粒径1~3μm，第二球形银粉的平均粒径＜1μm，振实密度均≥4.0 g/cm³；片状银粉的平均粒径为1~5μm，振实密度2.8~4.0 g/cm³。

6.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述其它助剂包括触变剂、分散剂、流平剂、消泡剂和润湿剂中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述抗收缩添加剂由Ag和选自SnO₂、CuO中的一种组合而成，重量之比为1：（1~2）。

8.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆，其特征在于，所述抗收缩添加剂由Cu、Ni和TiO₂组合而成，重量之比为1：（1~1.5）：（2~3）。

9.一种晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆的制备方法，包括下述步骤：

S1：有机载体的制备，按配方比例先将有机溶剂加入容器中，再在搅拌下加入增稠剂，升温至50~100℃，保温0.5~3h，降温到40~50℃下加入其它助剂，过滤后得到有机载体；

S2：背银浆料的制备，将抗收缩添加剂加入到S1制得的有机载体中，超声分散10~30min，然后按比例依次加入第一球形银粉、第二球形银粉、片状银粉和玻璃粉，经高速搅拌混合和三辊研磨机研磨分散，得到晶体硅太阳能电池背电极用低串阻银浆。